【技术实现步骤摘要】
存储装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2021
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210885号(申请日:2021年12月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
[0003]实施方式主要涉及一种存储装置。
技术介绍
[0004]已知有能非易失地存储数据的NAND(Not And,与非)型闪速存储器。
技术实现思路
[0005]实施方式提供一种能效率较佳地执行读出动作的存储装置。
[0006]实施方式的存储装置具备多个存储单元、字线及控制器。多个存储单元分别根据阈值电压,存储包含第1位数据、第2位数据、第3位数据、第4位数据及第5位数据的5位数据。多个存储单元存储分别包含第1位数据、第2位数据、第3位数据、第4位数据及第5位数据的第1页、第2页、第3页、第4页及第5页。字线连接于多个存储单元。控制器执行通过对字线施加读出电压而从多个存储单元读出数据的读出动作。控制器在第1页、第2页、第3页、第4页及第5页各页的读出动作中对字线施加互不相同的读出电压的次数分别为7次、6次、6次、6次及6次。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式的信息处理系统的构成的一例的框图。
[0008]图2是表示第1实施方式的存储器控制器的硬件构成的一例的框图。
[0009]图3是表示第1实施方式的存储装置的硬件构成的一例的框图。
[0010]图4是表示第1实施方式的存储装置所具备的存储单元阵列的电路构成的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置,具备:多个存储单元,各自根据阈值电压,存储包含第1位数据、第2位数据、第3位数据、第4位数据及第5位数据的5位数据;字线,连接于所述多个存储单元;及控制器,执行通过对所述字线施加读出电压而从所述多个存储单元读出数据的读出动作;且所述多个存储单元存储分别包含所述第1位数据、所述第2位数据、所述第3位数据、所述第4位数据及所述第5位数据的第1页、第2页、第3页、第4页及第5页,所述控制器在所述第1页、所述第2页、所述第3页、所述第4页及所述第5页各页的读出动作中对所述字线施加互不相同的读出电压的次数分别为7次、6次、6次、6次及6次。2.根据权利要求1所述的存储装置,其中所述5位数据是由互不相同的第1数据集至第32数据集构成的多个数据集中的任一者,所述存储单元的阈值电压包含于互不相同的第1状态至第32状态中的任一者,且以邻接的状态间仅相差1位的方式,分别对所述第1状态至所述第32状态分配所述多个数据集。3.根据权利要求2所述的存储装置,其中互不相同的第1读出电压至第31读出电压是与所述第1状态至所述第32状态中邻接的状态间对应而设定的,且所述控制器在所述第1页至所述第5页各自的读出动作中对所述字线施加的读出电压的间隔最小为3个状态且最大为8个状态。4.根据权利要求3所述的存储装置,其中满足第1条件与第2条件中的一者,所述第1条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最下位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最下位的所述第1读出电压相隔1个状态,所述第2条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最上位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最上位的所述第31读出电压相隔1个状态。5.根据权利要求4所述的存储装置,其中不满足所述第1条件与所述第2条件中的另一者、第3条件、第4条件及第5条件,所述第3条件是指,所述第1页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态,所述第4条件是指,使用所述第1读出电压或所述第31读出电压的页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态,所述第5条件是指,所述第1页至所述第5页包含将所述第1读出电压与所述第31读出电压两者用于读出动作的页。6.根据权利要求3所述的存储装置,其中满足第2条件及第4条件,所述第2条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最上位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最上位的所述第31读出电压相隔1个状态,所述第4条件是指,使用所述第1读出电压或所述第31读出电压的页的读出动作中使用
的多个读出电压的最小间隔为3个状态。7.根据权利要求6所述的存储装置,其中不满足第1条件、第3条件及第5条件,所述第1条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最下位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最下位的所述第1读出电压相隔1个状态,所述第3条件是指,所述第1页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态,所述第5条件是指,所述第1页至所述第5页包含将所述第1读出电压与所述第31读出电压两者用于读出动作的页。8.根据权利要求3所述的存储装置,其中满足第1条件、第2条件及第3条件,所述第1条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最下位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最下位的所述第1读出电压相隔1个状态,所述第2条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最上位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最上位的所述第31读出电压相隔1个状态,所述第3条件是指,所述第1页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态。9.根据权利要求8所述的存储装置,其中不满足第4条件及第5条件,所述第4条件是指,使用所述第1读出电压或所述第31读出电压的页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态,所述第5条件是指,所述第1页至所述第5页包含将所述第1读出电压与所述第31读出电压两者用于读出动作的页。10.根据权利要求3所述的存储装置,其中满足第2条件、第3条件及第4条件,所述第2条件是指,所述第1页的读出动作中使用的最上位读出电压与所述第1读出电压至所述第31读出电压中最上位的所述第31读出电压相隔1个状态,所述第3条件是指,所述第1页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态,所述第4条件是指,使用所述第1读出电压或所述第31读出电压的页的读出动作中使用的多个读出电压的最小间隔为3个状态。11.根据权利要求10所述的存储装置,其中不满足第1条件及第5条件,所述第1...
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