用于仿真EEPROM的电子设备及其操作方法技术

本公开涉及一种用于仿真EEPROM的电子设备及其操作方法，所述电子设备包括：由数据块和元数据块组成的闪存ROM；由闪存ROM仿真的虚拟EEPROM；以及可访问闪存ROM的处理器；数据块包括其中存储使用数据的多个第一扇区，元数据块包括其中存储使用数据上的元数据的多个第二扇区。二扇区。二扇区。

【技术实现步骤摘要】
用于仿真EEPROM的电子设备及其操作方法


[0001]本公开的示例性实施例涉及一种用于仿真电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的电子设备，更具体地，涉及用于仿真EEPROM的电子设备及其操作方法，所述电子设备可以通过闪存只读存储器(ROM)来仿真EEPROM。

技术介绍

[0002]EEPROM是一种非易失性存储设备，并且是用作存储设置值的存储器的设备，一旦存储了内容，该设备就会将内容存储相对长的时间，并且主要只是读取和使用内容，或者备份即使在断电时也不应擦除的重要数据。
[0003]在一般车辆中，故障/诊断/学习数据存储在车辆内置的EEPROM中，使用EEPROM中存储的数据识别故障的原因，并且控制车辆以最佳状态行驶。
[0004]本公开的
技术介绍
公开于韩国专利申请公开No.10
‑
2021
‑
0076676(2021年6月24日公布)。

技术实现思路

[0005]各种实施例旨在提供一种用于仿真EEPROM的电子设备及其操作方法，该电子设备可以通过闪存ROM来仿真EEPROM。
[0006]根据本公开的一个方面的用于仿真EEPROM的电子设备包括：由数据块和元数据块组成的闪存ROM；由闪存ROM仿真的虚拟EEPROM；以及可访问闪存ROM的处理器；数据块包括其中存储使用数据的多个第一扇区，元数据块包括其中存储使用数据上的元数据的多个第二扇区。
[0007]在一个实施例中，虚拟EEPROM可以包括多个第三扇区，并且第三扇区的大小可以被形成为与第一扇区的大小相同。
[0008]在一个实施例中，元数据可以是这样一种形式的数据结构，其中，指示第一扇区的索引的节点被布置在形成为与第三扇区的索引相对应的多个层中，在第一扇区中实际存储了当前被存储或先前被存储在第三扇区中的使用数据。
[0009]在一个实施例中，处理器可以被配置为接收用于存储在第三扇区中的使用数据的改变命令，将对应于改变命令的使用数据存储在数据块中，以及将存储在数据块中的使用数据上的元数据存储在元数据块中。
[0010]在一个实施例中，处理器可以被配置为在数据块中包括的多个第一扇区中识别其中未存储使用数据的第一扇区，以及将对应于改变命令的使用数据存储在识别的第一扇区中具有最低索引的第一扇区中。
[0011]在一个实施例中，处理器可以被配置为识别存储在元数据块中的元数据中的最新元数据，更新识别的元数据，在元数据块中包括的多个第二扇区中识别其中未存储元数据的第二扇区，以及将更新的元数据存储在识别的第二扇区中具有最低索引的第二扇区中。
[0012]在一个实施例中，处理器可以被配置为通过识别作为改变命令的目标的第三扇区
的索引、在识别的元数据中包括的层中识别与第三扇区的识别的索引相对应的层、以及将指示其中存储有对应于改变命令的使用数据的第一扇区的索引的节点添加到识别的层的最右侧，来更新识别的元数据。
[0013]在一个实施例中，一种操作用于仿真EEPROM的电子设备的方法，电子设备包括：由数据块和元数据块组成的闪存ROM；由闪存ROM仿真的虚拟EEPROM；以及可访问闪存ROM的处理器；数据块包括其中存储使用数据的多个第一扇区，元数据块包括其中存储使用数据上的元数据的多个第二扇区，所述方法包括：接收用于存储在虚拟EEPROM中的使用数据的改变命令；将对应于改变命令的使用数据存储在数据块中；以及根据改变命令将存储在数据块中的使用数据上的元数据存储在元数据块中。
[0014]在一个实施例中，虚拟EEPROM可以包括多个第三扇区，并且第三扇区的大小可以被形成为与第一扇区的大小相同。
[0015]在一个实施例中，元数据可以是这样一种形式的数据结构，其中，指示第一扇区的索引的节点被布置在形成为与第三扇区的索引相对应的多个层中，在第一扇区中实际存储了当前被存储或先前被存储在第三扇区中的使用数据。
[0016]在一个实施例中，在数据块中存储使用数据可以包括在数据块中包括的多个第一扇区中识别其中未存储使用数据的第一扇区，以及将对应于改变命令的使用数据存储在识别的第一扇区中具有最低索引的第一扇区中。
[0017]在一个实施例中，将元数据存储在元数据块中可以包括识别存储在元数据块中的元数据中的最新元数据，更新识别的元数据，在元数据块中包括的多个第二扇区中识别其中未存储元数据的第二扇区，以及将更新的元数据存储在识别的第二扇区中具有最低索引的第二扇区中。
[0018]在一个实施例中，更新识别的元数据可以包括识别作为改变命令的目标的第三扇区的索引，在识别的元数据中包括的层中识别与第三扇区的识别的索引相对应的层，以及将指示其中存储有对应于改变命令的使用数据的第一扇区的索引的节点添加到识别的层的最右侧。
[0019]根据本公开的一个方面，可以通过利用闪存ROM仿真EEPROM来实施虚拟EEPROM，确保在利用闪存ROM仿真EEPROM的过程中平等使用整个闪存ROM，并且提供先前存储在利用闪存ROM仿真的EEPROM中的数据的可追溯性。
附图说明
[0020]图1是示出根据本公开的一个实施例的用于仿真EEPROM的电子设备的框图。
[0021]图2和图3是用于描述根据本公开的一个实施例的用于仿真EEPROM的电子设备的示例性视图。
[0022]图4至图7是用于描述根据本公开的一个实施例的操作用于仿真EEPROM的电子设备的方法的流程图。
[0023]图8是用于描述根据本公开的一个实施例的操作用于仿真EEPROM的电子设备的方法的示例性视图。
具体实施方式
[0024]以下，将参考附图详细描述根据本公开的实施例的用于仿真电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的电子设备及其操作方法。在该过程中，为了清楚和方便描述，附图中所示的线的粗细或部件的尺寸可能会被夸大。此外，下面要描述的术语是考虑到本公开中的功能而定义的术语，其可以根据用户和操作者的意图或习惯而变化。因此，术语应基于整个说明书的内容来定义。
[0025]图1是示出根据本公开的一个实施例的用于仿真EEPROM的电子设备的框图，并且图2和图3是用于描述根据本公开的一个实施例的用于仿真EEPROM的电子设备的示例性视图。
[0026]参考图1，根据本公开的一个实施例的用于仿真EEPROM的电子设备可以包括闪存ROM 100、虚拟EEPROM 200和处理器300。
[0027]图2示出了闪存ROM 100的结构的一个实施例。参考图2，闪存ROM100可以由数据块和元数据块组成，数据块包括其中存储使用数据的多个第一扇区，元数据块包括其中存储使用数据上的元数据的多个第二扇区。
[0028]数据块是其中存储使用数据的区域，并且可以包括其中存储使用数据的多个第一扇区。在数据块中包括的各个第一扇区的大小可以彼此相同，即，数据块可以被划分成具有恒定大小的扇区。对应于用于识别相应扇区的识别号的索引可以被分配给每个第一扇区，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，包括：闪存只读存储器，其由数据块和元数据块组成，所述数据块包括其中存储使用数据的多个第一扇区，所述元数据块包括其中存储所述使用数据上的元数据的多个第二扇区；由所述闪存只读存储器仿真的虚拟电可擦除可编程只读存储器；以及可访问所述闪存只读存储器的处理器。2.根据权利要求1所述的用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，其中，所述虚拟电可擦除可编程只读存储器包括多个第三扇区，并且所述第三扇区的大小被形成为与所述第一扇区的大小相同。3.根据权利要求2所述的用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，其中，所述元数据是一种形式的数据结构，在所述形式中，指示所述第一扇区的索引的节点被布置在形成为与所述第三扇区的索引相对应的多个层中，在所述第一扇区中实际存储了当前被存储或先前被存储在所述第三扇区中的使用数据。4.根据权利要求3所述的用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，其中，所述处理器被配置为接收用于存储在所述第三扇区中的所述使用数据的改变命令，将对应于所述改变命令的使用数据存储在所述数据块中，以及将存储在所述数据块中的所述使用数据上的元数据存储在所述元数据块中。5.根据权利要求4所述的用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，其中，所述处理器被配置为在所述数据块中包括的所述多个第一扇区中识别其中未存储所述使用数据的第一扇区，并将对应于所述改变命令的所述使用数据存储在所识别的第一扇区中具有最低索引的第一扇区中。6.根据权利要求4所述的用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，其中，所述处理器被配置为识别存储在所述元数据块中的所述元数据中的最新元数据，更新所识别的元数据，在所述元数据块中包括的所述多个第二扇区中识别其中未存储所述元数据的第二扇区，并将所更新的元数据存储在所识别的第二扇区中具有最低索引的第二扇区中。7.根据权利要求6所述的用于仿真电可擦除可编程只读存储器的电子设备，其中，所述处理器被配置为通过识别作为所述改变命令的目标的第三扇区的索引、在所识别的元数据中包括的层中识别与所述第三扇区的所识别的索引相对应的层、以及将指示其中存储有对应于所述改变命令的所述使用数据的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣书，
申请(专利权)人：现代奥特奥博株式会社，
类型：发明
国别省市：