钳位电压产生电路、读出电路、电源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种钳位电压产生电路，该电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、充电模块；第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅极与漏极连接、并且与第二NMOS管的源极连接，第二NMOS管的栅极与漏极连接、并且连接充电模块的输出端；所述充电模块用于对第二NMOS管和第一NMOS管进行充电；第二NMOS管的漏极作为输出端，向非易失存储器读出电路中的钳位管输出钳位电压；第二NMOS管的类型和尺寸相同与所述钳位管的类型和尺寸相同。本发明专利技术还提供一种读出电路和一种电源电路。利用本发明专利技术钳位电压产生电路，可以减小由于钳位管工艺偏差对读通路中位线电压的影响，使位线上的电压能够在不同芯片中保持稳定。中保持稳定。中保持稳定。

【技术实现步骤摘要】
钳位电压产生电路、读出电路、电源电路


[0001]本专利技术涉及电路
，具体涉及一种钳位电压产生电路、还涉及一种读出电路、以及一种电源电路。

技术介绍

[0002]非挥发性存储器(non
‑
volatile memory，NVM)，又称非易失性存储器，是指存储器所存储的信息在电源关掉之后依然能长时间存在，不易丢失。非挥发性存储器以其高存储密度、较低的功耗、随机读写和优良的工艺兼容性等诸多优点，尤其是断电后还可以保留原有数据的特点，逐渐在存储系统中扮演越来越重要的角色。
[0003]在对非挥发存储器进行读操作时，读电路会通过存储单元的漏极位线(Bitline，BL)施加电压而产生读电流，该电压往往会对位线选中的存储单元产生影响。为了减小影响，会适当的限制该电压。现有的电压钳位的方案大多如图1所示，其中，存储单元Cell通过位线BL与列译码电路相连，图1中列译码电路为NMOS管N1，读取单元为PMOS管P4，Vg是读电流的偏置电压，钳位电路包括钳位管N3和反向放大器Inv。当位线BL上的电压被存储单元Cell拉至0电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钳位电压产生电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、充电模块；第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅极与漏极连接、并且与第二NMOS管的源极连接，第二NMOS管的栅极与漏极连接、并且连接充电模块的输出端；所述充电模块用于对第二NMOS管和第一NMOS管进行充电；第二NMOS管的漏极作为输出端输出钳位电压。2.根据权利要求1所述的钳位电压产生电路，其特征在于，所述充电模块包括电流源，所述电流源的输入端接电源电压。3.根据权利要求1所述的钳位电压产生电路，其特征在于，所述充电模块包括：电流源及第一补偿单元；所述第一补偿单元包括：第四NMOS管和第六NMOS管；所述电流源的输入端接电源电压；第四NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接，第四NMOS管的漏极连接所述电流源的输入端，第四NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端；第六NMOS管的源极接地，第六NMOS管的漏极连接所述电流源的输出端，第六NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极；第六NMOS管的类型和尺寸相同与第一NMOS管的类型和尺寸相同。4.根据权利要求3所述的钳位电压产生电路，其特征在于，第四NMOS管采用Native NMOS管。5.根据权利要求3所述的钳位电压产生电路，其特征在于，在第四NMOS管的漏极和所述电流源的输入之间还设置有第一开关。6.根据权利要求1所述的钳位电压产生电路，其特征在于，所述充电模块包括：电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，周泉，薛柏林，许灵达，田康迪，王伟，杨攀，李福强，
申请(专利权)人：上海复旦微电子集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：