用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令制造方法及图纸

技术编号:37583820 阅读:42 留言:0更新日期:2023-05-15 07:57
本申请涉及用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令。一种方法包含:由存储器装置的控制逻辑从处理装置接收回写清除命令;响应于所述回写清除命令,使得页缓冲器对经配置为单层级单元的第一存储器单元执行双选通读取操作,所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通,所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到在所述第一存储器单元的阈值电压分布之间;使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分布内于所述第一/第二阈值电压之间的阈值电压范围中检测到的一位值的数目;及响应于一位值的所述数目不满足阈值准则,使得在无来自所述处理装置的干预的情况下将所述第一存储器单元中的数据回写到经配置为高层级单元的第二存储器单元。器单元。器单元。

【技术实现步骤摘要】
用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体地说,涉及用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置存储器装置可例如为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一实施例提供一种存储器装置,其包括:一或多个存储器单元阵列,其包含经配置为单层级单元存储器的第一存储器单元和经配置为较高层级单元存储器的第二存储器单元;一或多个页缓冲器,其与所述一或多个存储器单元阵列耦合;及控制逻辑,其以操作方式与所述一或多个页缓冲器耦合,所述控制逻辑执行包括以下的操作:从处理装置接收回写清除命令,所述回写清除命令识别多个所述第一存储器单元;响应于所述回写清除命令,使得所述一或多个页缓冲器中的页缓冲器对所述多个所述第一存储器单元执行双选通读取操作,所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置,其包括:一或多个存储器单元阵列,其包含经配置为单层级单元存储器的第一存储器单元和经配置为较高层级单元存储器的第二存储器单元;一或多个页缓冲器,其与所述一或多个存储器单元阵列耦合;及控制逻辑,其以操作方式与所述一或多个页缓冲器耦合,所述控制逻辑执行包括以下的操作:从处理装置接收回写清除命令,所述回写清除命令识别多个所述第一存储器单元;响应于所述回写清除命令,使得所述一或多个页缓冲器中的页缓冲器对所述多个所述第一存储器单元执行双选通读取操作,所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通,所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到大致在所述多个所述第一存储器单元的阈值电压分布之间;使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分布内于所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的阈值电压范围中检测到的一位值的数目;及响应于一位值的所述数目不满足阈值准则,使得在无来自所述处理装置的干预的情况下执行将所述多个所述第一存储器单元中的数据回写到多个所述第二存储器单元。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述阈值电压范围包括响应于每一回写清除命令而采用的预定电压范围。3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述回写清除命令包括单位软位读取SBSBR命令。4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中使得所述页缓冲器执行所述双选通读取操作包括使得所述页缓冲器进行以下操作:使所述硬选通瞄准所述阈值电压分布中的最高者的下尾部;及使所述软选通瞄准所述阈值电压分布中的最低者的上尾部。5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中使得所述页缓冲器执行所述双选通读取操作包括使得所述页缓冲器进行以下操作:使所述硬选通瞄准所述阈值电压分布中的最低者的上尾部;及使所述软选通瞄准所述阈值电压分布中的最高者的下尾部。6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述页缓冲器包括:第一锁存器,其用于存储存储于所述存储器单元中的每一阈值电压,所述存储器单元检测为具有所述阈值电压范围内的阈值电压;第二锁存器,其用于存储所述第二阈值电压;及异或门,其接收所述第一锁存器和所述第二锁存器的输出作为输入。7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述操作进一步包括使得所述页缓冲器将通过指示符值存储在能够由所述处理装置存取的状态寄存器中。8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述操作进一步包括响应于一位值的所述数目满足阈值准则:不执行所述数据的所述回写;及使得所述页缓冲器将不通过指示符值存储在能够由所述处理装置存取的状态寄存器中。
9.一种方法,其包括:由存储器装置的控制逻辑从处理装置接收回写清除命令,所述存储器装置包括经配置为单层级单元存储器的第一存储器单元和经配置为较高层级单元存储器的第二存储器单元,其中所述回写清除命令识别多个所述第一存储器单元;由所述控制逻辑响应于所述回写清除命令而使得页缓冲器对所述多个所述第一存储器单元执行双选通读取操作,所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通,所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到大致在所述多个所述第一存储器单元的阈值电压分布之间;由所述控制逻辑使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分...

【专利技术属性】
技术研发人员:J
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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