存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

一种存储装置，包括：存储器装置，包括多个存储器单元，存储器装置执行读取多个存储器单元之中的所选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；以及存储器控制器，用于从主机接收读取请求，并且控制存储器装置执行与读取请求相对应的读取操作。存储器控制器包括读取电压推断器，读取电压推断器在读取操作完成时从存储器装置接收关于读取操作的读取信息，基于读取信息执行评估读取操作的读取质量评估操作，并且根据执行读取质量评估操作的结果执行推断与读取信息相对应的次优读取电平的读取电压推断操作。压推断操作。压推断操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月7日提交的、申请号为10
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2021
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0173978的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的实施例总体上涉及一种存储装置，并且更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0004]存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可以包括用于存储数据的存储器装置以及用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0005]易失性存储器装置是仅在供电时才存储数据而在供电中断时所存储的数据消失的存储器装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0006]非易失性存储器装置是即使在供电中断时数据也不消失的存储器装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除ROM(EEROM)、闪速存储器等。

技术实现思路

[0007]本公开的实施例提供了一种支持改进的读取操作的存储器装置以及存储器装置的操作方法。
[0008]根据本公开的实施例，提供了一种存储装置，包括：存储器装置，包括多个存储器单元，并且被配置为执行读取多个存储器单元之中的所选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；以及存储器控制器，被配置为从主机接收读取请求，并且控制存储器装置执行与读取请求相对应的读取操作，其中，存储器控制器包括读取电压推断器，该读取电压推断器被配置为：在读取操作完成时，从存储器装置接收关于读取操作的读取信息，基于读取信息执行评估读取操作的读取质量评估操作，并且根据执行读取质量评估操作的结果执行推断与读取信息相对应的次优读取电平的读取电压推断操作。
[0009]根据本公开的另一实施例，提供了一种操作存储装置的方法，该存储装置包括具有多个存储器单元的存储器装置以及存储器控制器，该方法包括：当从主机接收到读取请求时，执行读取多个存储器单元之中的所选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；当读取操作完成时，基于来自读取操作的读取信息执行评估读取操作的读取质量评估操作；并且根据执行读取质量评估操作的结果，执行推断与读取信息相对应的次优读取电平的读取电压推断操作。
[0010]根据本公开的另一实施例，提供了一种控制器的操作方法，该操作方法包括：控制
存储器装置利用多组读取电压中的所选择的一组或多组读取电压从所选择的存储器单元读取数据；当读取数据属于一种或多种条件时，基于所选择的存储器单元之中的根据所选择的一组或多组读取电压中的相应读取电压的导通单元的数量来推断每个编程状态的峰值阈值电压电平；基于峰值阈值电压电平，通过根据线性回归的分析或通过训练操作来推断所选择的存储器单元的最优读取电压，并且将最优读取电压反映到多组读取电压中，其中该条件包括：当读取数据中的错误校正的位的数量大于第一阈值时、当读取数据中每个编程状态的错误位的数量大于第二阈值时、当读取数据中的错误位的总数量大于第三阈值时以及当错误位的总数量与错误位的可容忍数量的比率大于第四阈值时。
附图说明
[0011]现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开的多种实施例；然而，实施例可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达实施例的范围。
[0012]在附图中，为了说明清楚，可能放大尺寸。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
[0013]图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的示图。
[0014]图2是示出根据本公开的实施例的存储器装置的示图。
[0015]图3是示出根据本公开的实施例的存储块的示图。
[0016]图4是示出根据本公开的实施例的读取操作的示图。
[0017]图5是示出根据本公开的实施例的存储装置的操作方法的示图。
[0018]图6是示出根据本公开的实施例的读取电压推断器的示图。
[0019]图7是示出根据本公开的实施例的推断峰值电压电平的方法的示图。
[0020]图8是示出根据本公开的实施例的产生最优读取电平的方法的示图。
[0021]图9是示出根据本公开的实施例的存储装置的操作方法的示图。
[0022]图10是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的示图。
[0023]图11是示出根据本公开的实施例的存储卡系统的示图。
[0024]图12是示出根据本公开的实施例的固态驱动器(SSD)的示图。
[0025]图13是示出根据本公开的实施例的用户系统的示图。
具体实施方式
[0026]本文所公开的具体结构或功能描述仅仅是说明性的，是为了描述根据本公开的构思的实施例。根据本公开的构思的实施例可以以各种形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。
[0027]图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的示图。
[0028]参照图1，存储装置1000可以包括存储器装置100和存储器控制器200。
[0029]存储装置1000可以是在诸如以下的主机2000的控制下存储数据的装置：移动电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、显示装置、平板PC或车载信息娱乐系统。
[0030]根据作为与主机2000的通信方案的主机接口，存储装置1000可以被制造为各种类型的存储装置中的任意一种。例如，存储装置1000可以利用诸如以下的多种类型的存储装置中的任意一种来实施：固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、尺寸减小的MMC(RS
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MMC)、微型MMC(micro
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MMC)、安全数字(SD)卡、迷你SD卡、微型SD卡、通用串行总线(USB)存储装置、通用闪存(UFS)装置、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡(SMC)、记忆棒等。
[0031]存储装置1000可以被实施为各种封装类型中的任意一种。例如，存储装置1000可以被实施为诸如以下的各种封装类型中的任意一种：堆叠封装(POP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)和晶圆级堆叠封装(WSP)。
[0032]存储器装置100可以存储数据或使用所存储的数据。存储器装置100在存储器控制器200的控制下操作。此外，存储器装置100可以包括多个存储器管芯，并且多个存储器管芯中的每一个可以包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。
[0033]存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：存储器装置，包括多个存储器单元并且执行读取所述多个存储器单元之中的所选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；以及存储器控制器，从主机接收读取请求并且控制所述存储器装置执行与所述读取请求相对应的所述读取操作，其中所述存储器控制器包括读取电压推断器，所述读取电压推断器：当所述读取操作完成时，从所述存储器装置接收关于所述读取操作的读取信息，基于所述读取信息执行评估所述读取操作的读取质量评估操作，并且根据执行所述读取质量评估操作的结果执行推断与所述读取信息相对应的次优读取电平的读取电压推断操作。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述读取信息包括以下中的至少一项：表示在错误校正操作中被校正的位的数量的位翻转值、每个编程状态的错误位的数量、在所述读取操作中发生的所有错误位的数量以及在所述读取操作中使用的读取电压电平。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述读取电压推断器通过将所述位翻转值与第一阈值进行比较、将每个编程状态的错误位的数量与第二阈值进行比较以及将所述所有错误位的数量与第三阈值进行比较来执行所述读取质量评估操作。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中当所述第一阈值至所述第三阈值之中的至少一个阈值小于对应于所述至少一个阈值的数值时，所述读取电压推断器执行所述读取电压推断操作。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述读取电压推断器通过以下方式执行所述读取电压推断操作：基于在所述读取操作中使用的读取电压电平以及对应于所述读取电压电平中的每一个的感测数据来推断对应于每个编程状态的峰值电压电平，并且基于所述峰值电压电平推断关于所述所选择的存储器单元的阈值电压。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中所述读取电压推断器通过使用如下信息作为学习数据执行线性回归分析或训练操作来推断所述阈值电压：作为关于每个编程状态的阈值电压的参考的参考读取电压信息、读取历史表中存储的读取电压信息以及关于在先前执行的读取操作中使用的读取电压电平的信息。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中当所述读取操作失败时，所述存储器控制器控制所述存储器装置基于读取历史表中存储的读取电压信息进一步执行重试读取操作的读取重试操作，并且其中当所述读取重试操作通过时，所述读取电压推断器进一步基于关于所述读取重试操作的读取信息执行所述读取质量评估操作。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中所述读取电压推断器执行进一步推断与关于所述读取重试操作的所述读取信息对应的次优读取电平的读取电压推断操作。9.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述存储器控制器进一步将所述次优读取电平更新到读取历史表。10.一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括具有多个存储器单元的存储器装置以及存储器控制器，所述方法包括：
当从主机接收到读取请求时，执行读取所述多个存储器单元之中的所选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；当所述读取操作完成时，基于来自所述读取操作的读取信息，执行评估所述读...

【专利技术属性】
技术研发人员：金壮燮，尹相皓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：