玻片表面种植长片段DNA的方法技术

本发明专利技术涉及基因芯片技术领域，特别涉及玻片表面种植长片段DNA的方法。本发明专利技术的技术方案中，玻片醛基化修饰具有操作简单，表面活性基团修饰密度高，表面修饰活性大，易于结合核酸分子的优点，验证结果如图11所示。长片段DNA的两端修饰具有操作简单，有效等优点。长片段DNA在醛基玻片表面的种植，具有操作简单，种植密度高，稳定性好等优点，种植的效果如图12所示。示。

【技术实现步骤摘要】
玻片表面种植长片段DNA的方法


[0001]本专利技术涉及基因芯片
，特别涉及玻片表面种植长片段DNA的方法。

技术介绍

[0002]基因芯片又被称为DNA微阵列，属于生物芯片的一种，是随着人类基因组计划的发展而产生，以解决基因研究和实际应用等需要，目前，在基因表达研究，基因组研究及诊断，药物研究及开发，生物医学等众多领域具有重要的应用价值。基因芯片技术涉及生物学，材料学和医学，包括芯片材料 (玻璃片，硅片，塑料片，尼龙膜等)，芯片表面化学，探针的固定，标记物选择，信号检测方法等多学科领域技术。
[0003]核酸在芯片材料上的固定是制作基因芯片的关键技术之一，涉及基底材料的选择，材料的表面处理以及核酸分子的固定，由于价廉，耐高温，背景干扰小，表面平整，易进行化学修饰等原因，最常用的基底材料为玻片。玻片的表面改性修饰多种多样，包括氨基，醛基，硫基，环氧基，异硫氰酸基，多聚赖氨酸等，不同的表面基团修饰可以与核酸分子形成共价或非共价的连接反应，从而将核酸分子固定到玻片表面。核酸分子在玻片表面的固定主要包括物理吸附和化学偶联两大类，但物理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.玻片表面种植长片段DNA的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取玻片经预处理，表面羟基化、氨基化、醛基化，制得醛基玻片；步骤2：对长片段DNA进行两端修饰，制得两端修饰后的长片段DNA；步骤3：取步骤2制得的所述两端修饰后的长片段DNA种植于步骤1制得的所述醛基玻片表面；所述长片段DNA的长度为10Kb～1000kb。2.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1中所述醛基化包括：采用任意能够提供醛基基团的试剂20～30℃浸泡玻片，过夜，反应完成后，用PB缓冲液震荡清洗玻片至少3次，每次2min，除去残余所述任意能够提供醛基基团的试剂；用无水乙醇震荡清洗至少2次，每次5min；再用超纯水震荡清洗3遍，每遍0.5min；将制备好的玻片用氮气吹干，4℃保存，备用。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1中所述任意能够提供醛基基团的试剂包括浓度为1％～10％戊二醛溶液，所述戊二醛溶液的制备方法为：取戊二醛用10mM、pH 7.0的PB缓冲液稀释；优选戊二醛溶液的浓度为5％。4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，步骤2包括如下步骤：步骤2
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1：取长片段DNA与核苷酸序列如SEQ ID No.1所示的引物1混合，所述引物1的摩尔浓度与所述长片段DNA的摩尔浓度比大于10，混匀3～5次后离心，于65℃、10min进行退火反应，所述退火反应的体系为30μl，反应结束待连接产物自然冷却至20～30℃；步骤2
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2：取所述连接产物依次与T4连接Buffer、T4连接酶混合，混匀3～5次后离心，于22℃、15min进行连接反应，所述连接反应的体系为60μl，所述连接反应结束后4℃保存；步骤2
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3：取步骤2
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2制得的连接产物与EXO I、EXO Buffer进行消化反应，所述消化反应条件为37℃、30min，75℃、10min；反应至75℃时，加入TE缓冲液，最终反应体系为70μl，反应结束后4℃保存；步骤2
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4：取步骤2
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3制得的消化产物与核苷酸序列如SEQ ID No.2所示的引物2、核苷酸序列如...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡岚，许金超，徐鸣，
申请(专利权)人：苏州罗岛纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：