一种半导体晶圆的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明专利技术的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。少了由于内应力作用而造成的半导体形变。少了由于内应力作用而造成的半导体形变。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种半导体晶圆的切割方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体晶圆的切割方法普遍是通过机械加工来实现的，其工艺流程需要先将晶圆底部打磨减薄，然后将用旋转的刀具对半导体进行打磨切割。在实际切割时，晶圆的总厚度为2毫米，其底部通过机械减薄方法(例如采用磨底方法)减薄1.6毫米，剩下的部分为厚度0.4毫米的常规半导体，然后再进行机械切割，切割深度为0.4毫米，使得半导体分离。
[0003]但是，无论是机械磨底还是机械切割，在切割的过程中，很容易造成半导体的内应力的增加，内应力作用对应产生的半导体的变形范围为1.6微米～2.0微米，从而导致半导体的发生变形。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体晶圆的切割方法，能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体晶圆的切割方法，包括：
[0006]将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；
[0007]控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；
[0008]采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；
[0009]将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；
[0010]去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。
[0011]进一步地，所述刀片的厚度为30μm～45μm，主轴转速为15000rpm，进给速率为0.35cm/s～0.45cm/s。
[0012]进一步地，刻蚀温度为25℃～30℃，刻蚀时间为300s～400s。
[0013]与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种半导体晶圆的切割方法，首先，将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上，并控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，切割深度为450μm～500μm；接着，采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜，并将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成，使得半导体晶圆被彻底分离成独立的半导体个体；最后，去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶；本专利技术实施例能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
附图说明
[0014]图1是本专利技术提供的一种半导体晶圆的切割方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本
普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]本专利技术实施例提供了一种半导体晶圆的切割方法，参见图1所示，是本专利技术提供的一种半导体晶圆的切割方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S15：
[0017]步骤S11、将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；
[0018]步骤S12、控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；
[0019]步骤S13、采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；
[0020]步骤S14、将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；
[0021]步骤S15、去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。
[0022]在具体实施时，首先，进行机械加工：将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上，并控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，刀片深入半导体晶圆的切割深度在450微米～500微米范围内，通过刀片在切割位置的深入，将半导体晶圆进行预分割，使得半导体芯片没有完全脱落，剩余约1600微米的厚度仍然连接在晶圆的背面，并且经过测量，半导体由内应力作用而产生的变形范围仍然在0.13微米～0.18微米范围内，符合要求；接着，在完成机械加工之后，对切割后的半导体晶圆进行湿法刻蚀加工：采用光刻胶，通过曝光和显影的方法，在半导体晶圆的正面形成掩膜，以使用掩膜对半导体晶圆的正面进行保护，之后，将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，硅腐蚀槽中具有由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成的硅腐蚀液，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行腐蚀，使得半导体晶圆被彻底分离成独立的半导体个体；最后，在完成湿法刻蚀之后，将半导体晶圆的正面的光刻胶去除，从而达到分离半导体，而又减少内应力的作用。
[0023]需要说明的是，与传统的半导体晶圆的切割方法相比，采用本专利技术实施例所提供的半导体晶圆的切割方法，在半导体晶圆切割完成之后，半导体由内应力作用而产生的变形范围仍然在0.13微米～0.18微米范围内，符合半导体加工的要求，不会对后续使用半导体产生影响。
[0024]作为上述方案的改进，所述刀片的厚度为30μm～45μm，主轴转速为15000rpm，进给速率为0.35cm/s～0.45cm/s。
[0025]具体的，结合上述实施例，在对半导体晶圆进行机械加工的过程中，切割所使用的刀片的厚度在30微米～45微米范围内，主轴转速为15000rpm，进给速率为0.35cm/s～0.45cm/s。
[0026]示例性的，可以将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上，并控制30微米厚的刀片对半导体晶圆的正面进行切割，刀片对应的主轴转速为15000rpm，进给速率为0.35cm/s，刀片深入半导体晶圆的切割深度为450微米，此时，完成机械加工过程，将进行下一工序的湿法刻蚀加工。
[0027]作为上述方案的改进，刻蚀温度为25℃～30℃，刻蚀时间为300s～400s。
[0028]具体的，结合上述实施例，在对半导体晶圆进行湿法刻蚀加工的过程中，所使用的刻蚀温度控制(即腐蚀温度)在25℃～30℃范围内，刻蚀时间控制(即腐蚀时间)在300秒～400秒范围内。
[0029]示例性的，可以将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，硅腐蚀槽中具有由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成的硅腐蚀液，以25℃的腐蚀温度，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行腐蚀，腐蚀持续时间400秒，此时，半导体晶圆被彻底分离成独立的半导体个体。
[0030]综上，本专利技术实施例所提供的一种半导体晶圆的切割方法，首先，将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上，并控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，切割深度为450μm～500μm；接着，采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜，并将半导体晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的切割方法，其特征在于，包括：将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊群，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：