清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质、衬底处理装置。能够通过对衬底进行等离子体处理使在反应容器的内表面上形成的沉积膜的除去变得容易。具有通过将包括下述工序的循环执行规定次数，使沉积膜改性为包含氧化层及氮化层的膜的工序：(a)向在内表面上形成有沉积膜的反应容器内供给含氧气体，并对含氧气体进行等离子体激发，从而使沉积膜氧化的工序；和(b)向反应容器内供给含氮气体，并对含氮气体进行等离子体激发，从而使沉积膜氮化的工序。的工序。的工序。

【技术实现步骤摘要】
清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置


[0001]本专利技术涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载了通过向线圈供给高频电力而对处理气体进行等离子体激发来进行衬底处理的衬底处理装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
75579号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]但是，在上述那样的衬底处理装置中，存在因对衬底进行等离子体处理而在反应容器的内表面上形成有沉积膜的情况，存在当沉积膜剥落时成为颗粒的主要原因的情况。
[0008]本专利技术的目的在于提供通过对衬底进行等离子体处理而使在反应容器的内表面上形成的沉积膜的除去变得容易的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一个方式，提供具有通过将包括下述工序的循环执行规定次数，使前述沉积膜改性为包含氧化层及氮化层的膜的工序本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.清洁方法，其具有通过将包括下述工序的循环执行规定次数，使沉积膜改性为包含氧化层及氮化层的膜的工序：(a)向在内表面上形成有沉积膜的反应容器内供给含氧气体，并对所述含氧气体进行等离子体激发，从而使所述沉积膜氧化的工序；和(b)向所述反应容器内供给含氮气体，并对所述含氮气体进行等离子体激发，从而使所述沉积膜氮化的工序。2.如权利要求1所述的清洁方法，其还具有下述工序：(c)使所述反应容器内的温度由(a)及(b)中的所述反应容器的温度起进行降温的工序；和(d)在(c)之后，将包含所述氧化层及所述氮化层的膜从所述反应容器的内壁除去的工序。3.如权利要求2所述的清洁方法，其中，在(d)中，通过将包含所述氧化层及所述氮化层的膜从所述反应容器的内壁剥离来进行所述清洁方法。4.如权利要求1所述的清洁方法，其中，所述沉积膜为含Si膜，所述氧化层为含Si氧化层，所述氮化层为含Si氮化层。5.如权利要求1所述的清洁方法，其中，所述沉积膜为氧化膜。6.如权利要求1所述的清洁方法，其中，(a)中用于对所述含氧气体进行等离子体激发所施加的电磁场的功率比(b)中用于对所述含氮气体进行等离子体激发所施加的电磁场的功率小。7.如权利要求1所述的清洁方法，其中，(a)中的所述反应容器内的压力比(b)中的所述反应容器内的压力大。8.如权利要求1所述的清洁方法，其中，每1个循环中的(a)的执行时间比(b)的执行时间短。9.如权利要求1所述的清洁方法，其中，所述循环被执行多次，第1循环中的(a)中用于对所述含氧气体进行等离子体激发所施加的电磁场的功率比在所述第1循环之后执行的第2循环中的(a)中用于对所述含氧气体进行等离子体激发所施加的电磁场的功率大。10.如权利要求1所述的清洁方法，其中，所述循环被执行多次，第1循环中的(a)中的所述反应容器内的压力比在所述第1循环之后执行的第2循环中的(a)中的所述反应容器内的压力小。11.如权利要求1所述的清洁方法，其中，所述循环被执行多次，第1循环中的(a)的执行时间比在所述第1循环之后执行的第2循环中的(a)的执行时间长。12.如权利要求1所述的清洁方法，其中，(a)及(b)在衬底未收容于所述反应容器内的状态下执行。13.如权利要求1所述的清洁方法，其还包括在执行包含(a)和(...

【专利技术属性】
技术研发人员：山角宥贵，舟木克典，上田立志，坪田康寿，竹岛雄一郎，市村圭太，井川博登，岸本宗树，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：