温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质、衬底处理装置。能够通过对衬底进行等离子体处理使在反应容器的内表面上形成的沉积膜的除去变得容易。具有通过将包括下述工序的循环执行规定次数，使沉积膜改性为包含氧化层及氮化层的膜的工序：(a)向...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。