半导体热电器件表面涂层及涂覆方法技术

本发明专利技术公开了半导体热电器件表面涂层及涂覆方法，属于半导体热电器件加工技术领域，聚对二甲苯聚合物进行沉积工艺，由于不会发生液相分离，因而聚对二甲苯不会遭受任何流真空金属镀膜是在不超过10

【技术实现步骤摘要】
半导体热电器件表面涂层及涂覆方法


[0001]本专利技术涉及半导体热电器件加工
，尤其涉及半导体热电器件表面涂层及涂覆方法。

技术介绍

[0002]热电元器件因为其优秀的制冷效果一直被广泛用于激光二极管的温度控制、恒温浴、电池柜等工业设备中。而且近些年来，随着帕尔帖技术和热电材料的迅速发展，热电元件和热电模块也逐步应用在除湿机、冰淇淋机、酒柜和座椅等家用产品的温度控制中。
[0003]专利号CN202111192027.1公开了半导体热电器件及其制备方法，包括基板、多个热电粒子以及线路层，基板为耐热绝缘刚性隔热材料，基板开设有沿厚度方向贯通的多个通孔；各热电粒子位于对应一个通孔中，各热电粒子直接在各通孔中由热电粒子的材料的粉末熔融凝固形成，各热电粒子在对应通孔的两端分别处于基板的沿厚度方向的相反的两个表面处；两个线路层直接形成在基板的沿厚度方向的相反的两个表面并将多个热电粒子电连接，各热电粒子被两线路层完全封闭在对应的通孔中。
[0004]此专利解决了随着半导体热电器件进入超微型阶段，物理切割的方式因限于切割工艺而不利于小型化的问题；但无法具备光学特性和耐辐射性，具备生物相容性和生物稳定性，能够应用多种场合。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的半导体热电器件表面涂层及涂覆方法。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0007]半导体热电器件表面涂层，包括硅铝、甲苯、碳酸二甲酯及二甲基苯。r/>[0008]优选的，所述采用硅铝比为25的HZSM
‑
5为催化剂，以甲苯和碳酸二甲酯为原料，其摩尔比为甲苯，碳酸二甲酯3∶1，反应温度380℃，甲苯的转化率达到36.7％，对二甲基苯选择性为75.8％。
[0009]半导体热电器件表面涂层的涂覆方法，所述包括以下步骤：
[0010]S1：聚对二甲苯聚合物进行沉积工艺，由于不会发生液相分离，因而聚对二甲苯不会遭受任何流真空金属镀膜是在不超过10
‑
5托的压强下进行，而聚对体效应的不利影响；
[0011]S2：由于出或出气现象的溶剂、催化剂或塑化剂。是非视距沉积，气态单体均匀作用于待涂敷物体的各个面，从而形成真正的无针孔敷形涂层；
[0012]S3：聚对二甲苯沉积工艺包含三个清晰步骤。第一步是固态二聚物在150℃左右汽化。第二步是在680℃条件下对二聚物蒸汽进行定量裂解(热解)，使两个亚甲基亚甲基键断裂，得到稳定的双游离基活性单体；
[0013]S4：单体蒸汽进入室温沉积室，在基材上聚合。
[0014]优选的，所述步骤S1中，流体效应可导致集中、流动、架桥，二甲苯沉积则是在大约
0.1托的压强下进行。
[0015]优选的，所述步骤S2中，聚对二甲苯也不含可能发生浸下，沉积室中气体分子的平均自由程约为0.1厘米。
[0016]优选的，所述步骤S2中，待涂敷基材只需具备合理的耐真空能力。
[0017]优选的，所述步骤S4中，在涂敷工艺中，基材温度保持在室温水平。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0019]1、具备高阻隔特性和化学阻隔性；
[0020]2、具备热性能、低温性能、真空稳定性和灭菌特性；
[0021]3、具备高真空稳定性，聚对二甲苯灭菌，具备物理与机械特性；
[0022]4、具备热性能、低温性能、真空稳定性和灭菌特性；
[0023]5、具备物理与机械特性；
[0024]6、具备光学特性和耐辐射性，具备生物相容性和生物稳定性，能够应用多种场合。
附图说明
[0025]图1为本专利技术提出的半导体热电器件表面涂层的涂覆方法流程示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0027]参照图1，实施例1
[0028]半导体热电器件表面涂层，包括硅铝、甲苯、碳酸二甲酯及二甲基苯。
[0029]采用硅铝比为25的HZSM
‑
5为催化剂，以甲苯和碳酸二甲酯为原料，其摩尔比为甲苯，碳酸二甲酯3∶1，反应温度380℃，甲苯的转化率达到36.7％，对二甲基苯选择性为75.8％。
[0030]半导体热电器件表面涂层的涂覆方法，所述包括以下步骤：
[0031]S1：聚对二甲苯聚合物进行沉积工艺，由于不会发生液相分离，因而聚对二甲苯不会遭受任何流真空金属镀膜是在不超过10
‑
5托的压强下进行，而聚对体效应的不利影响，步骤S1中，流体效应可导致集中、流动、架桥，二甲苯沉积则是在大约0.1托的压强下进行；
[0032]S2：由于出或出气现象的溶剂、催化剂或塑化剂。是非视距沉积，气态单体均匀作用于待涂敷物体的各个面，从而形成真正的无针孔敷形涂层，步骤S2中，聚对二甲苯也不含可能发生浸下，沉积室中气体分子的平均自由程约为0.1厘米；步骤S2中，待涂敷基材只需具备合理的耐真空能力；
[0033]S3：聚对二甲苯沉积工艺包含三个清晰步骤。第一步是固态二聚物在150℃左右汽化。第二步是在680℃条件下对二聚物蒸汽进行定量裂解(热解)，使两个亚甲基亚甲基键断裂，得到稳定的双游离基活性单体；
[0034]S4：单体蒸汽进入室温沉积室，在基材上聚合，步骤S4中，在涂敷工艺中，基材温度保持在室温水平。
[0035]实施例2
[0036]薄膜介电特性：聚对二甲苯涂层的特点之
‑
是厚度非常薄，即便是非常薄的聚对二
甲苯薄膜，也具备出色的介电耐电压性能，同时还表明，随着薄膜厚度减小，单位厚度的击穿电压升高；
[0037]电路板绝缘电阻：对于聚对二甲苯涂层所提供保护作用的
‑‑
项关键检测是依照检测模式(按MIL
‑
I
‑
46058C所述)涂敷电路板，并在一个温湿度循环中测量该电路板的绝缘电阻(MIL
‑
STD
‑
202，方法106和302)。简言之，本检测由10个循环构成(每天
‑
一个循环)，每个循环包含七个步骤。这七个步骤涵盖低温、低湿度(25℃，相对湿度50％)条件以及更恶劣的条件(65℃，相对湿度90％)范围。在为期10天的检测中，在每一个循环起始以及在65℃，相对湿度90％条件下分别读取电阻读数。表2显示了厚度为50.8微米至2.5微米聚对二甲苯C.涂层的检测结果。值得一提的是，即使是非常薄的涂层(2.5微米),其绝缘电阻值也比规定值高出大约一个数量级。
[0038]实施例3
[0039]具备高阻隔特性和化学阻隔性
[0040]阻隔特性：聚对二甲苯的阻隔特性如表3所示。与其它敷形涂敷材料的水蒸气透过率(WVT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体热电器件表面涂层，其特征在于，包括硅铝、甲苯、碳酸二甲酯及二甲基苯。2.根据权利要求1所述的半导体热电器件表面涂层，其特征在于，采用硅铝比为25的HZSM
‑
5为催化剂，以甲苯和碳酸二甲酯为原料，其摩尔比为甲苯，碳酸二甲酯3∶1，反应温度380℃，甲苯的转化率达到36.7％，对二甲基苯选择性为75.8％。3.半导体热电器件表面涂层的涂覆方法，其特征在于，所述包括以下步骤：S1：聚对二甲苯聚合物进行沉积工艺，由于不会发生液相分离，因而聚对二甲苯不会遭受任何流真空金属镀膜是在不超过10
‑
5托的压强下进行，而聚对体效应的不利影响；S2：由于出或出气现象的溶剂、催化剂或塑化剂。是非视距沉积，气态单体均匀作用于待涂敷物体的各个面，从而形成真正的无针孔敷形涂层；S3：聚对二甲苯沉积工艺包含三个清晰步骤。第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：温汉军，
申请(专利权)人：浙江万谷半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：