用于抛光半导体衬底的方法技术

公开用于抛光半导体衬底的方法。所述方法可涉及在抛光期间使第一及第二抛光浆料交替。所述第一及第二浆料各含有二氧化硅粒子，其中所述第一浆料的所述二氧化硅粒子含有比所述第二浆料的粒子更多的二氧化硅。通过在第一与第二抛光浆料之间交替，所述抛光方法可改进晶片平坦度。片平坦度。片平坦度。

【技术实现步骤摘要】
用于抛光半导体衬底的方法
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张2021年12月17日申请的第63/291,085号美国临时专利申请案的权益，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开的领域涉及用于抛光半导体衬底的方法且特定来说，涉及减少经抛光半导体衬底的位点总指示读数(STIR)的方法。

技术介绍

[0004]半导体晶片用于生产半导体装置，例如集成电路(IC)芯片、绝缘体上硅(SOI)晶片及射频SOI(RF
‑
SOI)晶片。通常，半导体晶片的粗糙表面需要进一步经处理以具有满足用于半导体装置(例如IC芯片、SOI晶片及RF
‑
SOI晶片)的生产的严格参数的特性。
[0005]通常，抛光半导体晶片的表面以改进表面特性，包含多晶层粗糙度及微缺陷。一种用以抛光半导体晶片的方法被称为化学机械抛光(CMP)。CMP工艺通常使用圆形抛光垫。在将浆料施加到垫时，旋转垫且使晶片与垫接触并压靠在垫上。然而，晶片可不均匀地接触垫，特别是朝向晶片边缘。此不均匀接触影响抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光半导体衬底的方法，所述半导体衬底具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面，所述方法包括：在第一抛光步骤中，在存在第一抛光浆料的情况下使所述衬底的所述前表面与抛光垫接触；在第二抛光步骤中，在存在第二抛光浆料的情况下使所述衬底的所述前表面与抛光垫接触，所述第二抛光步骤是在所述第一抛光步骤之后开始；及在第三抛光步骤中，在存在所述第一抛光浆料的情况下使所述衬底的所述前表面与抛光垫接触，所述第三抛光步骤是在所述第二抛光步骤之后开始。2.根据权利要求1所述的方法，其包括在第四抛光步骤中，在存在所述第二抛光浆料的情况下使所述衬底的所述前表面与抛光垫接触，所述第四抛光步骤是在所述第三抛光步骤之后开始。3.根据权利要求2所述的方法，其包括在第五抛光步骤中，在存在所述第一抛光浆料的情况下使所述衬底的所述前表面与抛光垫接触，所述第五抛光步骤是在所述第四抛光步骤之后开始。4.根据权利要求3所述的方法，其包括在第六抛光步骤中，在存在所述第二抛光浆料的情况下使所述衬底的所述前表面与抛光垫接触，所述第六抛光步骤是在所述第五抛光步骤之后开始。5.根据权利要求1所述的方法，其中在每一抛光步骤中接触所述衬底的所述前表面的所述抛光垫是同一抛光垫。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抛光浆料包括具有X
1 wt％的二氧化硅含量的二氧化硅粒子且所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪欣宜，黄汉忠，林依文，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：