一种化学机械抛光系统技术方案

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光系统，其包括：前置单元；抛光单元；清洗单元，设置于前置单元与抛光单元之间；其中，所述清洗单元包括第一清洗单元和第二清洗单元，所述第一清洗单元与第二清洗单元相对于清洗单元的横向中心线对称设置；所述第一清洗单元和第二清洗单元包括横纵交错设置的后处理模块，靠近所述横向中心线的后处理模块为多层且沿竖向层叠设置，靠近清洗单元侧部的后处理模块为单层；还包括传输机械手，其紧邻所述后处理模块设置并对称设置于所述横向中心线的两侧。设置于所述横向中心线的两侧。设置于所述横向中心线的两侧。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光系统


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
，具体而言，涉及一种化学机械抛光系统。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。CMP系统通常包括前置单元、抛光单元和清洗单元，通过化学机械抛光能够获得符合工艺要求的晶圆。
[0004]由于前置单元和抛光单元的功能相对固定，而清洗单元的工艺制程较为复杂，其涉及预清洗、刷洗、干燥等工序；清洗单元中各个模块的排布较为紧密，尤其需要配置电气、液路等配件，严重缩小了清洗单元的维护空间，这不利于操作人员正常开展维护作业。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供了一种化学机械抛光系统，旨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光系统，其特征在于，包括前置单元；抛光单元；清洗单元，设置于前置单元与抛光单元之间；其中，所述清洗单元包括第一清洗单元和第二清洗单元，所述第一清洗单元与第二清洗单元相对于清洗单元的横向中心线对称设置；所述第一清洗单元和第二清洗单元包括横纵交错设置的后处理模块，靠近所述横向中心线的后处理模块为多层且沿竖向层叠设置，靠近清洗单元侧部的后处理模块为单层；还包括传输机械手，其紧邻所述后处理模块设置并对称设置于所述横向中心线的两侧。2.如权利要求1所述的化学机械抛光系统，其特征在于，靠近清洗单元侧部的后处理模块的竖向高度与靠近所述横向中心线上层的后处理模块对应的竖向高度相同。3.如权利要求1所述的化学机械抛光系统，其特征在于，还包括缓存机构，其位于竖向层叠设置的后处理模块之间。4.如权利要求3所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述缓存机构还设置于靠近清洗单元侧部...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：