半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法，通过将正面刻蚀有凹槽、且正面沉积有氧化层薄膜待处理晶圆置于抛光台上，将凹槽外的待处理晶圆正面作为目标平面，在抛光台上对目标平面的氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，以初步去除目标平面上的大量氧化物，再对所述目标平面进行二级抛光，直至目标平面上的氧化层薄膜完全去除，二级抛光的抛光量较小，二级抛光过程中可以精确控制目标平面以上氧化层薄膜的去除量，以将氧化层薄膜精准的完全去除，进而能够提高晶圆表面沉积层的去除质量。而能够提高晶圆表面沉积层的去除质量。而能够提高晶圆表面沉积层的去除质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法


[0001]本申请涉及半导体器件制备工艺的
，尤其涉及一种半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法。

技术介绍

[0002]在MEMS(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，微机电系统)的制备过程中，由于MEMS的图形尺寸较大，其图形尺寸不同于逻辑器件低于0.5um，MEMS的图形需要做出机械结构，其尺寸一般在10
‑
500um，典型的尺寸在100
‑
200um，大尺寸的一步抛光工艺将导致极大的蝶形缺陷(或称Dishing)，后续需要基于存在蝶形缺陷的晶圆表面继续制备结构，后续的制备结构将随着表面形态起伏和氧化层释放，造成其腔室上表面呈现下凸形结构，导致影响半导体器件的使用性能。
[0003]因此，如何提高晶圆表面沉积层的去除质量，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一种半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法，能够提高晶圆表面沉积层的去除质量。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面沉积层的去除方法，其特征在于，所述方法包括：将待处理晶圆置于抛光台上，其中，所述待处理晶圆为正面刻蚀有凹槽，且所述正面沉积有氧化层薄膜的晶圆；在所述抛光台上对目标平面的所述氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，其中，所述目标平面为所述凹槽外的所述待处理晶圆正面；对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行二级抛光，直至所述目标平面以上的氧化层薄膜完全去除。2.根据权利要求1所述的晶圆表面沉积层的去除方法，其特征在于，所述在所述抛光台上对目标平面的所述氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，包括：采用复合抛光垫对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行初级化学机械抛光，使所述氧化层薄膜的氧化物去除率不小于6000埃/分钟；在所述初级抛光的抛光时长达到预设时长；或初级抛光面的检测光谱为目标光谱时，确定所述氧化层薄膜达到0.5
‑
1.5um，停止对所述氧化层薄膜进行所述初级抛光。3.根据权利要求2所述的晶圆表面沉积层的去除方法，其特征在于，所述采用复合抛光垫对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行初级化学机械抛光，包括：将烟熏颗粒置于所述复合抛光垫和所述目标平面之间；控制所述抛光台和所述抛光头同向转动，且转速均不小于80RPM；对所述抛光台和所述抛光头的贴合面进行区域压力控制，使贴合压力均匀且不小于5PSI，以对所述目标平面的氧化层薄膜进行初级化学机械抛光。4.根据权利要求1所述的晶圆表面沉积层的去除方法，其特征在于，对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行二级抛光，包括：将完成所述初级抛光的晶圆移动至二级抛光台上；采用水溶性抛光液和复合抛光垫对所述氧化层薄膜进行二级化学机械抛光；在检测到所述氧化层薄膜的氧化物和晶圆正面的二氧化硅的去除比为1∶0.9
‑
1.1时，控制停止对所述氧化层薄膜进行所述二级抛光。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：周国安，罗大杰，马琳，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：