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本发明公开了一种半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法，通过将正面刻蚀有凹槽、且正面沉积有氧化层薄膜待处理晶圆置于抛光台上，将凹槽外的待处理晶圆正面作为目标平面，在抛光台上对目标平面的氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，以...
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