光学邻近校正系统和操作方法技术方案

提供了一种光学邻近校正系统和操作方法。提供了一种光学邻近校正系统，包括：多个片段块，该多个片段块包括多个片段，该多个片段包括分段信息表；多个从设备，从该多个片段块接收分段信息表以生成最小片段表；以及主设备，从该多个从设备接收最小片段表，生成分段平均计算表，并对记录在分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。行光学邻近校正。行光学邻近校正。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正系统和操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0181473的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施例涉及一种光学邻近校正系统和操作方法。

技术介绍

[0004]近年来，随着电子工业的快速发展，对具有更高性能、更高可靠性和更小尺寸的电子设备的需求不断增长。电子设备被实现为通过半导体制造工艺制造的半导体元件。因此，为了满足这种要求，半导体器件的结构逐渐变得复杂且高度集成。

技术实现思路

[0005]实施例涉及一种光学邻近校正系统，该系统包括：多个片段块，该多个片段块包括多个片段，该多个片段包括分段信息表；多个从设备，从该多个片段块接收分段信息表以生成最小片段表；以及主设备，从该多个从设备接收最小片段表，生成分段平均计算表，并对记录在分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。
[0006]实施例涉及一种包括程序代码的计算机可读介质，其中，当程序代码由处理器执行时，处理器生成包括分段信息表的多个片段，处理器从该多个片段接收分段信息表以生成最小片段表，以及处理器根据最小片段表生成分段平均计算表，并对记录在分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。
[0007]实施例涉及一种光学邻近校正系统的操作方法，其中，光学邻近校正系统生成包括分段信息表的多个片段，光学邻近校正系统从该多个片段接收分段信息表以生成最小片段表，以及光学邻近校正系统根据最小片段表生成分段平均计算表，并对记录在分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。
附图说明
[0008]通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得清楚，在附图中：
[0009]图1是示出了用于设计和制造半导体元件的方法的流程图。
[0010]图2是示出了使用掩模的光刻系统的示意图。
[0011]图3是简要地示出了形成在晶片上的布局的图。
[0012]图4是示出了在光学邻近校正中将布局轮廓划分为多个分段的处理的示例图。
[0013]图5是示出了作为示例的通过光学邻近校正更新的布局的图。
[0014]图6是示出了根据一些示例实施例的光学邻近校正系统的框图。
[0015]图7是用于说明分段信息表的示例图。
[0016]图8是用于说明分段信息表生成操作的流程图。
[0017]图9是用于说明最小片段表的示例图。
[0018]图10是用于说明最小片段表生成操作的流程图。
[0019]图11是用于说明分段平均计算表的示例图。
[0020]图12是用于说明分段平均计算表生成操作的流程图。
[0021]图13是示出了根据一些示例实施例的光学邻近校正系统的操作的示例流程图。
具体实施方式
[0022]图1是示出了用于设计和制造半导体元件的方法的流程图。
[0023]参考图1，可以在操作S110中执行半导体集成电路的高级设计。高级设计可以意味着以计算机语言的高级语言对要设计的集成电路的描述。例如，可以使用诸如C语言的高级语言。通过高级设计所设计的电路可以更具体地由寄存器传输级(RTL)编码或模拟来表示。此外，通过寄存器传输级编码所生成的代码可以转换为网表，并合成到整个半导体元件中。合成后的原理性电路通过模拟工具进行验证，并且可以伴随有取决于验证结果的调整过程。
[0024]在操作S120中，可以执行用于在硅衬底上实现在逻辑上完成的半导体集成电路的布局设计。例如，可以通过参考由高级设计合成的原理性电路或与其对应的网表来执行布局设计。布局设计可以包括用于根据所定义的设计规则来放置并连接由单元库提供的各种标准单元的线路布置过程。
[0025]用于布局设计的单元库可以包括关于标准单元的操作、速度、功耗等的信息。在大多数布局设计工具中定义了用于通过布局来表示特定门级电路的单元库。布局可以是定义用于形成晶体管和金属布线的图案的形式或尺寸的过程，其中晶体管和金属布线实际形成在硅衬底上。例如，为了在硅衬底上实际形成反相器电路，可以通过布局设计工具合适地放置诸如PMOS、NMOS、N
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WELL、栅电极和要放置在它们上的金属布线之类的布局图案。为此，可以首先在单元库中已经定义的反相器中搜索并选择适当的反相器。
[0026]此外，可以对被选择和放置的标准单元执行线路布置。例如，可以对被选择和放置的标准单元执行利用上布线的线路布置。标准单元可以通过线路布置过程根据设计彼此连接。这一系列处理主要可以通过布局设计工具自动或手动地执行。
[0027]例如，可以使用单独的放置和线路布置工具来自动执行标准单元的放置和线路布置。
[0028]在线路布置之后，可以验证布局是否存在违反设计规则的部分。验证可以包括验证是否根据设计规则正确地执行布局的DRC(设计规则检查)、验证是否在内部正确地执行布局而没有电断开的ERC(电气规则检查)、检查布局是否与门级网表匹配的LVS(布局与原理图)检查等。
[0029]在操作S130中，可以执行光学邻近校正(OPC)。通过布局设计得到的布局图案可以使用光刻工艺实现在硅衬底上，并且光学邻近校正可以用于校正在光刻工艺中可能出现的扭曲现象。也就是说，可以通过光学邻近校正来校正在使用布局图案进行曝光时由光特性引起的诸如折射和处理效果的扭曲现象。可以通过执行光学邻近校正来精细地校正(例如，偏置)所设计的布局图案的形式和位置，以提供校正后或更新后的布局图案，例如，作为更
新后的设计布局。下面将详细描述根据一些示例实施例的光学邻近校正。
[0030]在操作S140中，可以基于通过光学邻近校正改变的布局来制造光掩模。例如，可以以使用涂覆在玻璃衬底上的铬膜绘制布局图案的方式来制造光掩模。
[0031]在操作S150中，可以使用光掩模制造半导体元件。在使用光掩模制造半导体元件的过程中，可以重复各种类型的曝光和蚀刻处理。在布局设计时配置的图案的形式可以通过这些处理顺序地形成在硅衬底上。
[0032]图2是示出了使用掩模的光刻系统的示意图。
[0033]参考图2，光刻系统1000可以包括光源1200、掩模1400、缩小投影设备1600和晶片台1800。光刻系统1000还可以包括图2中未示出的构成元件。例如，光刻系统1000还可以包括用于测量晶片WF的表面的高度和坡度的传感器。
[0034]光源1200可以发射光。由光源1200发射的光可以照射到掩模1400。例如，光源1200可以包括紫外光源(例如，具有234nm波长的KrF光源、具有193nm波长的ArF光源等)。例如，光源1200还可以包括准直器(未示出)。准直器可以将紫外光转换为平行光。可以将平行光提供给掩模1400。例如，准直器可以包括用于增加紫外光的焦深的偶极子孔径或四倍孔径。
[0035]掩模1400可以包括用于在晶片W本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正系统，包括：多个片段块，所述多个片段块包括多个片段，所述多个片段包括分段信息表；多个从设备，从所述多个片段块接收所述分段信息表以生成最小片段表；以及主设备，从所述多个从设备接收所述最小片段表，生成分段平均计算表，并对记录在所述分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。2.根据权利要求1所述的光学邻近校正系统，其中，所述多个片段是从半导体芯片的布局划分的。3.根据权利要求1所述的光学邻近校正系统，其中，所述分段信息表包括：多个哈希ID，所述多个哈希ID是通过使用从所述多个片段生成的多个分段的哈希函数计算与所述多个分段中的每一个相对应的哈希值而生成的，通过对所述多个片段中的每一个片段中包括的所述多个哈希ID中的每一个哈希ID的出现进行计数而获得的数量，以及通过对所述多个片段中的每一个片段中包括的所述多个哈希ID的总类型数量进行计数而获得的数量。4.根据权利要求3所述的光学邻近校正系统，其中，所述多个从设备针对所述分段信息表比较所述多个片段中的所述多个哈希ID中的相同哈希ID，选择具有较大总类型数量的片段，并生成所述最小片段表。5.根据权利要求4所述的光学邻近校正系统，其中，所述主设备针对所述最小片段表比较所述多个片段中的所述多个哈希ID中的相同哈希ID，选择具有通过对所述多个哈希ID中的每一个哈希ID的出现进行计数而获得的较大数量的片段，并生成所述分段平均计算表。6.根据权利要求1所述的光学邻近校正系统，其中，所述主设备计算针对所述分段平均计算表的每个分段的偏移值的平均值，以执行所述光学邻近校正。7.根据权利要求1所述的光学邻近校正系统，其中，所述多个片段是由所述多个从设备处理的最小单元。8.一种包括程序代码的计算机可读介质，其中，当所述程序代码由处理器执行时，所述处理器生成包括分段信息表的多个片段，所述处理器从所述多个片段接收所述分段信息表以生成最小片段表，以及所述处理器根据所述最小片段表生成分段平均计算表，并对记录在所述分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。9.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中，所述多个片段是从半导体芯片的布局划分的。10.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中，所述分段信息表包括：多个哈希ID，所述多个哈希ID是通过使用从所述多个片段生成的多个分段的哈希函数计算与所述多个分段中的每一个相对应的哈希值而生成的，通过对所述多个片段中的每一个片段中包括的所述多个哈希ID中的每一个哈希ID的出现进行计数而获得的数量，以及通过对所述多个片段中的每一个片段中包括的所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙俊，金尚昱，吴兴锡，郑芝银，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：