本发明专利技术公开了一种掩模版图形的校正方法及装置，所述校正方法包括以下步骤：输入目标图形和模拟图形；根据模拟图形对目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量，并将循环修正量设为下一次校正循环的循环干涉量；根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形，获取初始修正图形；当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形；以及当目标图形的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。正图形。正图形。
【技术实现步骤摘要】
一种掩模版图形的校正方法及装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种掩模版图形的校正方法及装置。
技术介绍
[0002]光学邻近效应校正（Optical Proximity Correction，OPC）是一种光刻增强技术，主要在半导体器件的生产过程中使用，能够保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。对半导体结构进行光刻时，因光的波粒二象性，在关键尺寸较小的情况下，投影图像容易出现违规行为。例如实际投影得到的线宽比设计图形更窄或更宽，以及图像因光学分辨图形造成的失真。
[0003]如果不对投影图形进行纠正，将会极大地影响成品中集成电路的电性能。而现有的校正手段中，OPC校正过程复杂，且校正后仍旧难以保证图形曝光后具有足够的工艺窗口。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种掩模版图形的校正方法，提升了光学邻近校正的精度和效率，从而提升了成品半导体的电学性能。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种掩模版图形的校正方法，至少包括：输入目标图形和模拟图形；根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量；根据所述循环修正量或所述校正量阈值调整所述目标图形，获取初始修正图形；当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得校验修正图形；以及当所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。
[0006]在本专利技术一实施例中，获取所述初始修正图形的步骤包括：当所述循环修正量大于等于所述校正量阈值，根据所述校正量阈值调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形；以及当所述循环修正量小于所述校正量阈值，根据所述循环修正量调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形。
[0007]在本专利技术一实施例中，获取所述循环修正量依据以下公式：D
i=n+1
=b*（a+D
i=n
）；
其中，D
i=n+1
为所述循环修正量，b为所述校正系数，a为所述目标图形和所述模拟图形的关键尺寸差值，D
i=n
为所述循环干涉量，i为所述目标图形进行校正循环的回合数，n为自然数。
[0008]在本专利技术一实施例中，所述总循环次数和所述循环次数阈值的差值为2次或3次。
[0009]在本专利技术一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。
[0010]在本专利技术一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数等于所述循环次数阈值且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，以及当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。
[0011]在本专利技术一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数，且所述初始修正图形的关键尺寸小于等于所述关键尺寸阈值时，输出所述初始修正图形。
[0012]在本专利技术一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，输出所述校验修正图形。
[0013]在本专利技术一实施例中，输入所述模拟图形的步骤包括：获取原始图形，所述原始图形为所述目标图形或所述初始修正图形或所述校验修正图形；将所述原始图形输入光学邻近校正模型，并设置光刻参数；对所述原始图形进行模拟光刻，获得所述模拟图形；以及每当所述目标图形开始新的校正循环，输入所述模拟图形。
[0014]本专利技术提供了一种掩模版图形的校正装置，包括：图形输入模块，用于输入目标图形和模拟图形；循环校正模块，用于根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；修正量计算模块，用于预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量；目标图形修正模块，用于根据所述循环修正量和所述校正量阈值调整所述目标图形，获取初始修正图形；初始修正图形校验模块，用于在所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值时，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得校验修正图形；以及图形输出模块，用于在所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数时，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。
[0015]如上所述，本专利技术提供了一种掩模版图形的校正方法及装置，能够对掩模版图形进行光学邻近校正，使校正后的目标图形在光刻后能得到与设计图形误差小的图形。并且，本专利技术中掩模版图形的校正方法，误差累积小，且对设备算力要求低，校正后的目标图形精度高且校正效率也高。根据本专利技术提供掩模版图形的校正方法，将获得的掩模版应用于光学邻近校正，能够提升成品半导体的关键尺寸精度，从而保障半导体器件的电学性能。
[0016]当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术一实施例中目标图形的示意图。
[0019]图2为本专利技术一实施例中模拟图形的示意图。
[0020]图3为本专利技术一实施例中图形修正方法的流程图。
[0021]图4为本专利技术一实施例中初始修正图形的示意图。
[0022]图5为本专利技术一实施例步骤S40和步骤S50的流程示意图。
[0023]图6为本专利技术一实施例中进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。
[0024]图7为本专利技术另一实施例中进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。
[0025]图8为每次校正循环都进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。
[0026]图9为在奇数校正循环回合进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。
[0027]图10为在偶数校正循环回合进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。
[0028]图11为本专利技术一实施例中掩模版图形的校正装置的示意图。
[0029]图中：100、目标图形；101、线宽尺寸；102、密集图形间距尺寸；103、图形头对头尺寸；104、图形拐角尺寸；200、模拟图形；300、初始修正图形；400、图形修正装置；401、图形本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，至少包括：输入目标图形和模拟图形；根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量；根据所述循环修正量或所述校正量阈值调整所述目标图形，获取初始修正图形；当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得校验修正图形；以及当所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。2.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，获取所述初始修正图形的步骤包括：当所述循环修正量大于等于所述校正量阈值，根据所述校正量阈值调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形；以及当所述循环修正量小于所述校正量阈值，根据所述循环修正量调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形。3.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，获取所述循环修正量依据以下公式：D
i=n+1
=b*（a+D
i=n
）；其中，D
i=n+1
为所述循环修正量，b为所述校正系数，a为所述目标图形和所述模拟图形的关键尺寸差值，D
i=n
为所述循环干涉量，i为所述目标图形进行校正循环的回合数，n为自然数。4.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，所述总循环次数和所述循环次数阈值的差值为2次或3次。5.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。6.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，罗招龙，杜宇，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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