光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法技术

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，其中，光学邻近修正方法包括：获取初始版图；对初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；当在初始曝光版图中检测到缺陷时，以预设最小移动步长，对初始版图进行n次探测光学邻近迭代修正；在所述n次探测光学邻近迭代修正后，获取与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长，最佳移动步长大于或等于所述预设最小移动步长；根据若干最佳移动步长，对第n探测版图进行m次第一光学邻近迭代修正，获取第一修正版图。从而，减少光学邻近修正过程中发生缺陷的风险，有效提升了光学邻近修正的效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，从而将掩膜版图案转移到光刻胶上。
[0003]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：OpticalProximityEffect)。
[0004]为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：OpticalProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。<br/>[0005]然而，现有技术中的光学邻近修正的效率还有待提升。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以减少光学邻近修正过程中发生缺陷的风险、有效的提升光学邻近修正的效率。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：获取初始版图，所述初始版图包括若干初始图形；对所述初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；检测所述初始曝光版图的缺陷；提供预设窗口，并以预设窗口分割所述若干初始图形的轮廓，获取若干片段；当在所述初始曝光版图中检测到缺陷时，根据在所述初始曝光版图中检测到的缺陷，在所述若干片段中获取若干初始待修正边；对所述初始版图进行n次探测光学邻近迭代修正，所述n是自然数，并且，第i次探测光学邻近迭代修正的方法包括：将第i
‑
1探测版图中的若干第i
‑
1探测待修正边移动预设最小移动步长，形成第i探测版图，i是小于或等于n的自然数，并且，当i＝1时，第i
‑
1探测版图为所述初始版图，若干第i
‑
1探测待修正边为若干初始待修正边；对所述第i探测版图进行第i次缺陷检测步骤，获取第i探测曝光版图，并且，在第i探测版图中获取若干第i探测待修正边；在所述n次探测光学邻近迭代
修正后，根据所述初始版图、初始曝光版图、第1探测版图至第n探测版图、以及第1探测曝光版图至第n探测曝光版图，获取与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长，所述最佳移动步长大于或等于所述预设最小移动步长；根据与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长，对所述第n探测版图进行m次第一光学邻近迭代修正，获取第一修正版图，所述m是自然数。
[0008]可选的，对所述第i探测版图进行第i次缺陷检测步骤的方法包括：对所述第i探测版图进行曝光处理，获取第i探测曝光版图；检测第i探测曝光版图的缺陷；根据在所述第i探测曝光版图中检测到的缺陷，在所述第i探测版图中获取若干第i探测待修正边，每个第i探测待修正边与若干第i
‑
1探测待修正边中的1个对应。
[0009]可选的，在所述n次探测光学邻近迭代修正后，根据所述初始版图、初始曝光版图、第1探测版图至第n探测版图、以及第1探测曝光版图至第n探测曝光版图，获取与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长的方法包括：根据初始版图和初始曝光版图，获取与若干第n探测待修正边对应的每个初始待修正边的边缘放置误差EPE0；根据第1探测版图至第n探测版图、以及第1探测曝光版图至第n探测曝光版图，获取与每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE1至边缘放置误差EPE
n
，所述边缘放置误差EPE1至边缘放置误差EPE
n
中的边缘放置误差EPE
i
的获取方法包括：根据第i探测版图和第i探测曝光版图，获取与若干第n探测待修正边对应的每个第i探测待修正边的边缘放置误差EPE
i
；根据与每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE0至边缘放置误差EPE
n
，获取每个第n探测待修正边对应的最佳移动步长。
[0010]可选的，根据与每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE0至边缘放置误差EPE
n
，获取每个第n探测待修正边对应的最佳移动步长的方法包括：提供每个第n探测待修正边的预设最大边缘放置误差EPE
SPEC
；根据每个第n探测待修正边的预设最大边缘放置误差EPE
SPEC
、每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE0至边缘放置误差EPE
n
，获取与每个第n探测待修正边对应的最佳移动步长所述L
min
是预设最小移动步长，所述C
i
＝EPE
i
‑
EPE
i
‑1，所述W
i
是所述C
i
的权重系数，且
[0011]可选的，所述初始版图包括多个单元区，并且，对第i探测版图进行曝光处理，获取第i探测曝光版图的方法包括：在第i探测版图中，获取若干第i探测待曝光区，每个第i探测待曝光区与1个单元区对应，并且，移动所述预设最小移动步长后的若干第i
‑
1探测待修正边位于所述若干第i探测待曝光区内；对所述若干第i探测待曝光区进行曝光处理，获取若干第i探测待曝光区的曝光版图；根据若干第i探测待曝光区的曝光版图，修改第i
‑
1探测曝光版图，形成第i探测曝光版图，当i＝1时，所述第i
‑
1探测曝光版图为初始曝光版图。
[0012]可选的，进行m次第一光学邻近迭代修正中的第k次的方法包括：将初始第k
‑
1修正版图中的若干初始第k
‑
1待修正边移动各自对应的最佳移动步长，形成初始第k修正版图，k是小于或等于m的自然数，其中，当k＝1时，初始第k
‑
1修正版图为所述第n探测版图，若干初始第k
‑
1待修正边为所述若干第n探测待修正边，当k＞1时，每个初始第k
‑
1待修正边与若干第n探测待修正边中的一个对应，当k＝m时，形成的初始第m修正版图为所述第一修正版图；对所述初始第k修正版图进行曝光处理，获取初始第k曝光修正版图；对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：获取初始版图，所述初始版图包括若干初始图形；对所述初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；检测所述初始曝光版图的缺陷；提供预设窗口，并以预设窗口分割所述若干初始图形的轮廓，获取若干片段；当在所述初始曝光版图中检测到缺陷时，根据在所述初始曝光版图中检测到的缺陷，在所述若干片段中获取若干初始待修正边；对所述初始版图进行n次探测光学邻近迭代修正，所述n是自然数，并且，第i次探测光学邻近迭代修正的方法包括：将第i
‑
1探测版图中的若干第i
‑
1探测待修正边移动预设最小移动步长，形成第i探测版图，i是小于或等于n的自然数，并且，当i＝1时，第i
‑
1探测版图为所述初始版图，若干第i
‑
1探测待修正边为若干初始待修正边；对所述第i探测版图进行第i次缺陷检测步骤，获取第i探测曝光版图，并且，在第i探测版图中获取若干第i探测待修正边；在所述n次探测光学邻近迭代修正后，根据所述初始版图、初始曝光版图、第1探测版图至第n探测版图、以及第1探测曝光版图至第n探测曝光版图，获取与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长，所述最佳移动步长大于或等于所述预设最小移动步长；根据与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长，对所述第n探测版图进行m次第一光学邻近迭代修正，获取第一修正版图，所述m是自然数。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述第i探测版图进行第i次缺陷检测步骤的方法包括：对所述第i探测版图进行曝光处理，获取第i探测曝光版图；检测第i探测曝光版图的缺陷；根据在所述第i探测曝光版图中检测到的缺陷，在所述第i探测版图中获取若干第i探测待修正边，每个第i探测待修正边与若干第i
‑
1探测待修正边中的1个对应。3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述n次探测光学邻近迭代修正后，根据所述初始版图、初始曝光版图、第1探测版图至第n探测版图、以及第1探测曝光版图至第n探测曝光版图，获取与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长的方法包括：根据初始版图和初始曝光版图，获取与若干第n探测待修正边对应的每个初始待修正边的边缘放置误差EPE0；根据第1探测版图至第n探测版图、以及第1探测曝光版图至第n探测曝光版图，获取与每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE1至边缘放置误差EPE
n
，所述边缘放置误差EPE1至边缘放置误差EPE
n
中的边缘放置误差EPE
i
的获取方法包括：根据第i探测版图和第i探测曝光版图，获取与若干第n探测待修正边对应的每个第i探测待修正边的边缘放置误差EPE
i
；根据与每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE0至边缘放置误差EPE
n
，获取每个第n探测待修正边对应的最佳移动步长。4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据与每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE0至边缘放置误差EPE
n
，获取每个第n探测待修正边对应的最佳移动步长的方法包括：
提供每个第n探测待修正边的预设最大边缘放置误差EPE
SPEC
；根据每个第n探测待修正边的预设最大边缘放置误差EPE
SPEC
、每个第n探测待修正边对应的边缘放置误差EPE0至边缘放置误差EPE
n
，获取与每个第n探测待修正边对应的最佳移动步长所述L
min
是预设最小移动步长，所述C
i
＝EPE
i
‑
EPE
i
‑1，所述W
i
是所述C
i
的权重系数，且5.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述初始版图包括多个单元区，并且，对第i探测版图进行曝光处理，获取第i探测曝光版图的方法包括：在第i探测版图中，获取若干第i探测待曝光区，每个第i探测待曝光区与1个单元区对应，并且，移动所述预设最小移动步长后的若干第i
‑
1探测待修正边位于所述若干第i探测待曝光区内；对所述若干第i探测待曝光区进行曝光处理，获取若干第i探测待曝光区的曝光版图；根据若干第i探测待曝光区的曝光版图，修改第i
‑
1探...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈术，严中稳，朱皖骄，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：