光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质技术方案

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：提供设计版图，包括多个设计图形；获取对应设计版图的网格状的初始边界线，初始边界线经过设计图形，且初始边界线与经过的设计图形具有至少两个第一交点；在初始边界线上获取分割点，分割点位于初始边界线经过的设计图形的两侧、并与经过的设计图形的第一交点具有预设距离，位于相邻分割点之间、且经过设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；在设计图形外侧形成第三边界线，第三边界线通过分割点与第二边界线交替首尾相接，第三边界线和第二边界线构成目标边界线。本发明专利技术有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率。设计图形因被分割而产生跳变现象的概率。设计图形因被分割而产生跳变现象的概率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。然而随着器件的尺寸日益缩小，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)，然后再依据修正过的掩膜版图案进行图案转移。在OPC修正程序中，通常需要进行掩膜尺寸检查(Mask Manufacturing Rule Check)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。
[0003]然而，由于版图的面积往往非常巨大，导致难以将整个版图同时进行OPC修正处理，从而需要将版图切分成多个子区域，并对每个子区域单独进行OPC修正处理，再将处理后的子区域拼接为版图。
[0004]但是，切分版图往往会引起一些影响OPC修正结果的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正的修正精准率。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。
[0007]相应的，本专利技术实施例还提供一种光学邻近修正系统，包括：图形提供模块，用于提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；初始边界线获取模块，用于获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；获取分割点模块，用于在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；边界生成
模块，用于在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。
[0008]相应的，本专利技术实施例还提供一种掩膜版，包括利用本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。
[0009]相应的，本专利技术实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法。
[0010]相应的，本专利技术实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法。
[0011]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
[0012]本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法中，在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线，在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线；本专利技术实施例中，在所述设计图形外侧形成第三边界线，则尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，从而在后续将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。
[0013]可选方案中，沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线，有利于减小形成所述第三边界线时，经过其他设计图形的概率，尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。
附图说明
[0014]图1是一种光学邻近修正方法的流程图；
[0015]图2至图5是一种光学邻近修正方法中各步骤对应的示意图；
[0016]图6是本专利技术光学邻近修正方法一实施例的流程图；
[0017]图7至图15是本专利技术光学邻近修正方法一实施例中各步骤对应的示意图；
[0018]图16是本专利技术光学邻近修正系统一实施例的功能框图；
[0019]图17是本专利技术提供的设备一实施例的硬件结构图。
具体实施方式
[0020]目前光学邻近修正的修正精准率有待提高。现结合一种光学邻近修正方法分析光学邻近修正的修正精准率有待提高的原因。
[0021]图1是一种光学邻近修正方法的流程图。结合参考图2至图5，示出了所述光学邻近修正方法中各步骤对应的示意图。
[0022]参考图2，图2是步骤s1对应的示意图，执行步骤s1：提供设计版图10，所述设计版图10包括多个设计图形11。
[0023]参考图3，图3是步骤s2对应的示意图，执行步骤s2：切分所述设计版图10，形成网格状的边界线20，所述网格状的边界线20将所述设计版图10分为多个子区域21。
[0024]继续参考图3，图3还包括步骤s3对应的示意图，执行步骤s3：分别对各个所述子区域21中的设计图形11进行光学邻近修正处理。
[0025]结合参考图4，图4是图3中虚线框位置处的放大示意图，所述边界线20经过所述设计图形11，并将所述设计图形11分为两个子图形12。
[0026]所述边界线20将所述设计图形11分为两个子图形12，破坏了每个子区域21中设计图形11的完整性，则在分别对各个所述子区域21中的设计图形11进行光学邻近修正处理的步骤中，所述设计图形11被分成两个子图形12分别进行光学邻近修正处理，容易导致对所述两个子图形12的处理结果不一致，从而在后续将各个子区域21拼接的过程中，所述设计图形11因被分割而容易产生跳变现象，难以将所述子区域21精准地拼接，从而导致对所述设计图形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述在所述设计图形外侧形成第三边界线，包括：沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线。3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述初始边界线上获取分割点的步骤包括：对所述设计图形进行膨胀处理，使所述设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移，形成扩张图形，其中，所述等距平移的距离为所述预设距离；获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点，作为所述分割点；所述在所述设计图形外侧形成第三边界线，包括：沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线。4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述形成所述扩张图形之后，获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点之前，还包括：判断相邻所述扩张图形是否交叠，并在相邻所述扩张图形交叠的情况下，去除相邻所述扩张图形交叠部分的轮廓线。5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述设计图形进行膨胀处理，还包括：所述扩张图形包括通过所述初始边界线分割的两个子图形；所述沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线，包括：沿两个所述子图形中面积更小的所述子图形的轮廓，形成与所述轮廓重合的第三边界线。6.如权利要求1至3任一项所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设距离为3nm至5nm。7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光学邻近修正方法还包括：去除所述第一边界线。8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述设计图形外侧形成第三边界线后，还包括：当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距小于或等于预设尺寸时，将相邻的所述第三边界线作为待处理边界线；在所述待处理边界线中，分别选取与所述第二边界线具有最大垂直距离的边作为基准边；比较所述基准边至第二边界线的垂直距离，将垂直距离更小的所述基准边所对应的待处理边界线作为第一待处理边界线，另一个所述待处理边界线作为第二待处理边界线；将所述第一待处理边界线的基准边向所述第二待处理边界线延长，直至与所述第二待
处理边界线相接触，所述第二待处理边界线、第一待处理边界线和第二边界线围成封闭...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈术，严中稳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：