固－液－固相法制备硅纳米线制造技术

本发明专利技术属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硅纳米线的固－液－固相制备方法。是首先在Ｓｉ衬底沉积一层金属催化剂；其次，在一定温度下，不引人含Ｓｉ源气体，直接使衬底中的Ｓｉ和金属形成共晶液滴；接着，衬底中的Ｓｉ将通过“固－液”界面而溶解到合金液滴中；最后，由于液滴中Ｓｉ过饱和，Ｓｉ将再一次通过“固－液”界面在顶端析出并形成Ｓｉ纳米线。本发明专利技术方法具有设备简单，容易控制沉积的薄膜组分，可以使制备Ｓｉ纳米线的成本降低很多。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅纳米线的固－液－固相制备方法，其特征在于是首先在Ｓｉ衬底沉积一层金属催化剂；其次，在一定温度下，不引人含Ｓｉ源气体，直接使衬底中的Ｓｉ和金属形成共晶液滴；接着，衬底中的Ｓｉ将通过“固－液”界面而溶解到合金液滴中；最后，由于液滴中Ｓｉ过饱和，Ｓｉ将再一次通过“固－液”界面在顶端析出并形成Ｓｉ纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊长宏，
申请(专利权)人：熊长宏，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]