一种单晶炉真空腔体制造技术

本申请涉及一种单晶炉真空腔体，包括腔体主体，腔体主体的底部连接有连通于腔体主体的抽气管，抽气管远离腔体主体的一端用于外接抽真空装置；腔体主体内壁安装有环形设置的隔板，隔板与腔体主体内壁之间间隔设置并形成调温腔室，调温腔室内安装有用于调节腔体主体内部温度的导热丝；腔体主体的外壁连接有用于通入氩气的进气管，进气管连通于调温腔室；隔板靠近调温腔室的侧壁开设有连通于腔体主体内部的连通口。本申请的一种单晶炉真空腔体能够降低腔体主体内的温度发生波动的可能性，提高单晶硅的生产稳定性。单晶硅的生产稳定性。单晶硅的生产稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉真空腔体


[0001]本申请涉及单晶炉的
，特别是涉及一种单晶炉真空腔体。

技术介绍

[0002]随着硅太阳能电池应用面的不断扩大，太阳能电池的需求量越来越大，硅单晶材料的需求量也就越来越大，单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。
[0003]单晶硅直拉法的生产方式需要在单晶硅真空腔体内进行，以满足单晶硅低真空的生产环境，真空腔体内安装有用于生产单晶硅的石英坩埚；单晶炉真空腔体对单晶硅生产过程中会产生一氧化碳等废气，由于一氧化碳具有较强的腐蚀性，若不及时将其排除，一氧化碳等废气会对真空腔体内的部件造成腐蚀，进而影响单晶硅的生产作业。
[0004]现有的真空腔体为降低一氧化碳等废气对真空腔体内的部件造成腐蚀，通常向真空腔体内通入氩气，以降低真空腔体内的部件被氧化的可能性；然而，单晶硅生产过程中需要保持一定的温度范围，将室温的氩气直接通入真空腔体内，氩气的温度与真空腔体内的温度发生热量交换，从而造成真空腔体内的温度发生波动，进而影响单晶硅的生产效果，因此需要进一步改进。

技术实现思路

[0005]为了降低腔体主体内部的温度发生波动的可能性，本申请提供了一种单晶炉真空腔体。
[0006]本申请提供的一种单晶炉真空腔体采用如下技术方案：
[0007]一种单晶炉真空腔体，包括腔体主体，所述腔体主体的底部连接有连通于所述腔体主体的抽气管，所述抽气管远离所述腔体主体的一端用于外接抽真空装置；所述腔体主体内壁安装有环形设置的隔板，所述隔板与所述腔体主体内壁之间间隔设置并形成调温腔室，所述调温腔室内安装有用于调节所述腔体主体内部温度的导热丝；所述腔体主体的外壁连接有用于通入氩气的进气管，所述进气管连通于所述调温腔室；所述隔板靠近所述调温腔室的侧壁开设有连通于所述腔体主体内部的连通口。
[0008]通过采用上述的技术方案，通过隔板和导热丝的设置，当需要向腔体主体内通入氩气时，通过进气管向调温腔室通入氩气，进入调温腔室的氩气在调温腔室内进行热量交换，从而能够调节氩气的温度，热量交换后的氩气通过连通口进入腔体主体，降低室温的氩气直接进入腔体主体时，腔体主体内的温度发生波动而干扰单晶硅正常生产作业的可能性，提高单晶硅的生产稳定性。
[0009]可选的，所述连通口位于所述调温腔室的顶部，所述进气管的出气端位于所述调温腔室的底部。
[0010]通过采用上述的技术方案，通过将连通口设置于调温腔室的顶部，进气管的出气
端设置于调温腔室的底部，氩气的密度大于空气的密度，由调温腔室底部进入调温腔室的氩气能够增大氩气在调温腔室内的停留时间，从而使氩气在调温腔室内能够充分与调温腔室内的空气进行热量交换，提高氩气与调温腔室内空气之间的热量交换效果。
[0011]可选的，所述隔板的内壁安装有固定板，所述固定板位于所述连通口远离所述腔体主体顶壁的一侧；所述固定板远离所述连通口的侧壁滑移安装有活动板，所述固定板靠近所述活动板的板面开设有贯穿所述固定板的第一连通孔，所述活动板靠近所述固定板的板面开设有贯穿所述活动板的第二连通孔，所述第一连通孔和所述第二连通孔之间呈错位设置；所述固定板和所述活动板之间安装有用于使所述活动板贴合于所述固定板的贴合组件，当所述活动板靠近所述固定板的侧壁贴合于所述固定板靠近所述活动板的侧壁时，所述固定板和所述活动板闭合于所述连通口。
[0012]通过采用上述的技术方案，通过固定板和活动板的设置，位于调温腔室的氩气通过连通口进入固定板远离活动板的一侧后，能够依次通过第一连通孔和第二连通孔进入腔体主体内部；通过贴合组件的设置，能够迫使活动板贴合于固定板，从而起到封堵连通口的作用，降低腔体主体内部产生的一氧化碳等废气通过连通口进入调温腔室的可能性；另一方面，当需要通过抽气管抽离腔体主体内部的一氧化碳和氩气时，通过贴合组件使活动板贴合于固定板，便于抽真空装置对腔体主体进行抽真空，以达到单晶硅生产的真空环境。
[0013]可选的，所述固定板靠近所述活动板的板面开设有安装槽，所述腔体主体的外壁开设有贯穿所述腔体主体的第一限位槽，所述隔板的外壁开设有贯穿所述隔板的第二限位槽，所述第一限位槽与所述第二限位槽相对设置；所述活动板侧壁开设有第三限位槽，当所述活动板靠近所述固定板的板面贴合于所述固定板靠近所述活动板的板面时，所述第三限位槽正对于所述第二限位槽；所述贴合组件包括限位杆和压缩弹簧，所述限位杆依次滑移穿设于所述第一限位槽、所述第二限位槽并插设于所述第三限位槽，所述压缩弹簧安装于所述安装槽和所述活动板之间，所述压缩弹簧常态使所述活动板靠近所述固定板的板面贴合于所述固定板靠近所述活动板的板面。
[0014]通过采用上述的技术方案，通过压缩弹簧和限位杆的设置，当需要对腔体主体通入氩气时，拉动限位杆迫使限位杆脱离第三限位槽，然后通过进气管通入氩气，当调温腔室内积聚一定量氩气后，氩气能够顶开活动板，迫使活动板朝远离固定板的一侧移动，并迫使压缩弹簧发生变形而存有弹力，氩气能够依次通过第一连通孔和第二连通孔进入腔体主体内部；当需要闭合连通口时，停止进气管向调温腔室通入氩气，活动板能够在压缩弹簧的弹力下朝靠近固定板的一侧移动并与固定板相互贴合，然后推动限位杆，迫使限位杆插设于第三限位槽，使活动板与固定板之间保持贴合状态，以便于后续抽真空对腔体内部进行抽真空作业。
[0015]可选的，所述限位杆远离所述活动板的端面固定有抵接块，所述抵接块与所述腔体主体外壁之间安装有拉伸弹簧，所述拉伸弹簧常态使所述限位杆插设于所述第三限位槽，所述抵接块设有用于使所述限位杆脱离所述第三限位槽的解锁件。
[0016]通过采用上述的技术方案，通过抵接块和拉伸弹簧的设置，拉伸弹簧常态迫使限位杆插设于第三限位槽，从而使活动板与固定板保持贴合状态，降低限位杆发生自由滑动而导致限位杆脱离第三限位槽的可能性，提高整体结构的稳定性。
[0017]可选的，所述解锁件包括转动安装于所述抵接块的抵接条，当所述抵接条远离所
述抵接块的侧壁转动并抵接于所述腔体主体的外壁时，所述限位杆脱离于所述第三限位槽。
[0018]通过采用上述的技术方案，通过抵接条的设置，当需要开启连通口向腔体主体内通入氩气时，转动抵接条并迫使抵接条远离抵接块的侧壁抵接于腔体主体的外壁，从而迫使限位杆脱离第三限位槽，以便于连通口的开启；当需要闭合连通口时，拨动抵接条迫使抵接条转动并脱离腔体主体的侧壁，限位杆能够在拉伸弹簧的弹力下滑移并插接于第三限位槽从而闭合于连通口，提高连通口的开合便捷性。
[0019]可选的，所述第二连通孔设置多个并沿所述活动板靠近所述固定板的板面均布，所述第一连通孔与所有所述第二连通孔之间呈错位设置。
[0020]通过采用上述的技术方案，通过设置多个第二连通孔，多个第二连通孔能够提高氩气进入腔体主体内部的速度，从而提高整体结构的生产效率；另一方面，多个第二连通孔能够提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉真空腔体，其特征在于：包括腔体主体(1)，所述腔体主体(1)的底部连接有连通于所述腔体主体(1)的抽气管(11)，所述抽气管(11)远离所述腔体主体(1)的一端用于外接抽真空装置；所述腔体主体(1)内壁安装有环形设置的隔板(2)，所述隔板(2)与所述腔体主体(1)内壁之间间隔设置并形成调温腔室(21)，所述调温腔室(21)内安装有用于调节所述腔体主体(1)内部温度的导热丝(22)；所述腔体主体(1)的外壁连接有用于通入氩气的进气管(12)，所述进气管(12)连通于所述调温腔室(21)；所述隔板(2)靠近所述调温腔室(21)的侧壁开设有连通于所述腔体主体(1)内部的连通口(23)。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉真空腔体，其特征在于：所述连通口(23)位于所述调温腔室(21)的顶部，所述进气管(12)的出气端位于所述调温腔室(21)的底部。3.根据权利要求1所述的一种单晶炉真空腔体，其特征在于：所述隔板(2)的内壁安装有固定板(3)，所述固定板(3)位于所述连通口(23)远离所述腔体主体(1)顶壁的一侧；所述固定板(3)远离所述连通口(23)的侧壁滑移安装有活动板(4)，所述固定板(3)靠近所述活动板(4)的板面开设有贯穿所述固定板(3)的第一连通孔(31)，所述活动板(4)靠近所述固定板(3)的板面开设有贯穿所述活动板(4)的第二连通孔(41)，所述第一连通孔(31)和所述第二连通孔(41)之间呈错位设置；所述固定板(3)和所述活动板(4)之间安装有用于使所述活动板(4)贴合于所述固定板(3)的贴合组件(5)，当所述活动板(4)靠近所述固定板(3)的侧壁贴合于所述固定板(3)靠近所述活动板(4)的侧壁时，所述固定板(3)和所述活动板(4)闭合于所述连通口(23)。4.根据权利要求3所述的一种单晶炉真空腔体，其特征在于：所述固定板(3)靠近所述活动板(4)的板面开设有安装槽(32)，所述腔体主体(1)的外壁开设有贯穿所述腔体主体(1)的第一限位槽(13)，所述隔板(2)的外壁开设有贯穿所述隔板(2)的第二限位槽(24)，所述第一限位...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑春峰，
申请(专利权)人：兆默真空设备上海有限公司，
类型：新型
国别省市：