一种陶瓷电镀工艺制造技术

本发明专利技术涉及电镀技术领域，尤其涉及一种陶瓷电镀工艺，通过对待镀陶瓷基板的通孔其中一端固化的导电浆料进行第一步腐蚀形成一次电镀面，一次电镀面电镀完成后对导电浆料未电镀的端面进行第二步腐蚀形成二次电镀面，对二次电镀面再次进行电镀以完成对陶瓷基板通孔的完整电镀，并且在腐蚀过程中根据平均单位腐蚀高度确定腐蚀时间，在电镀过程中根据平均实际腐蚀高度确定电镀时间，通过对待镀陶瓷基板通孔中导电浆料的两端均进行先腐蚀后电镀的方式，减小了通孔半径与高度的尺寸比小时每次电镀的通孔高度，保证了镀层在通孔内部自下而上的沉积过程中的电镀效率。的沉积过程中的电镀效率。的沉积过程中的电镀效率。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷电镀工艺


[0001]本专利技术涉及电镀
，尤其涉及一种陶瓷电镀工艺。

技术介绍

[0002]随着半导体功率模块、大功率集成电路、5G设备等工作电流大、温度高、频率高的产品高速发展，对芯片的载体提出了更高的要求。陶瓷材料化学性能稳定、电绝缘性好、高频特性优异、热导率高、介电常数低，线膨胀系数与电子元器件非常相近，广泛应用于电子基板领域，但由于陶瓷不具有导电性，金属线路层与陶瓷基片的结合强度和电镀填孔是陶瓷基板可靠性的关键以及陶瓷基板制备的关键技术，电镀填孔是陶瓷基板技术的关键工艺，而实现通孔内的无空洞填充是实现填孔的核心要求。
[0003]中国专利公开号CN114921821A公开了一种通孔填孔的电镀装置及TGV/TCV孔金属化方法，该专利技术通过在镀件背面贴合一层导电背板实现在不导电的通孔底部作为阴极自下而上地沉积镀层，并采用机械搅拌的方式对镀件进行填孔电镀。
[0004]该技术方案中，导电背板由导电层和剥离层组成，剥离层能够保证在电镀填孔完成后导电背板与镀件的分离，并且搅拌装置通过在电镀槽中间进行速度可控的旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电镀工艺，其特征在于，包括：步骤S1，向待镀陶瓷基板的各通孔填满导电浆料并固化，根据所述通孔的高度确定对所述通孔内的导电浆料的一次期望腐蚀高度；步骤S2，使用腐蚀剂对所述通孔其中一端固化的导电浆料进行第一步腐蚀，其中，根据所述通孔的第一步平均单位腐蚀高度确定第一步腐蚀时间，并根据各所述通孔的第一步实际腐蚀高度确定第一步平均实际腐蚀高度；步骤S3，在一次电镀开始条件对所述第一步腐蚀后的通孔执行清洗，并将经第一步腐蚀后的通孔内导电浆料端面记为一次电镀面；步骤S4，向所述一次电镀面进行一次电镀，并根据所述第一步平均实际腐蚀高度确定对所述一次电镀面的电镀时间；步骤S5，在一次电镀完成条件对所述陶瓷基板依次进行清洗、烘干以及在第一基准面溅射种子层并对第一基准面进行电镀后使用腐蚀剂对所述导电浆料未电镀的端面进行第二步腐蚀，其中，根据所述一次期望腐蚀高度确定对所述通孔内的导电材料的二次期望腐蚀高度，根据第一步腐蚀调节后的腐蚀时间确定所述第一步腐蚀的实际腐蚀速率以确定第二步腐蚀的腐蚀时间，并根据各所述通孔的第二步实际腐蚀高度确定第二步平均实际腐蚀高度；步骤S6，在二次电镀开始条件对所述第二步腐蚀后的通孔执行清洗，并将经第二步腐蚀后的通孔内与所述腐蚀剂接触的端面记为二次电镀面；步骤S7，向所述二次电镀面进行二次电镀，并根据所述第二步平均实际腐蚀高度确定对所述二次电镀面的电镀时间；步骤S8，在二次电镀完成条件对所述陶瓷基板依次进行清洗、烘干以及在第二基准面溅射种子层并对第二基准面进行电镀，以完成所述通孔的电镀填充及陶瓷基板的电镀；其中，所述一次电镀开始条件为判定所述第一步平均实际腐蚀高度≥所述一次期望腐蚀高度，所述一次电镀完成条件为所述通孔经一次电镀后距离所述第一基准面的平均高度≥0，所述二次电镀开始条件为判定所述第二步平均实际腐蚀高度≥所述二次期望腐蚀高度，所述二次电镀完成条件为所述通孔经二次电镀后距离所述第二基准面的平均高度≥0；其中，所述第一基准面为与进行第一步腐蚀的所述通孔孔端相连的待镀陶瓷基板表面，所述第二基准面为与进行第二步腐蚀的所述通孔孔端相连的待镀陶瓷基板表面。2.根据权利要求1所述的陶瓷电镀工艺，其特征在于，在所述步骤S1前，还包括步骤S0，中控单元根据待镀陶瓷基板的通孔的半径R及高度H的比值ΔRH确定是否使用所述陶瓷电镀工艺对所述待镀陶瓷基板进行电镀，所述中控单元设置有预设比值ΔRHO，设定ΔRH＝R/H，若ΔRH≤ΔRHO，所述中控单元判定使用所述陶瓷电镀工艺对所述待镀陶瓷基板进行电镀；若ΔRH＞ΔRHO，所述中控单元判定不使用所述陶瓷电镀工艺对所述待镀陶瓷基板进行电镀。3.根据权利要求2所述的陶瓷电镀工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，所述中控单元根据所述通孔的高度H确定所述导电浆料的一次期望腐蚀高度HQ1，所述中控单元设置有第一通孔高度H1、第二通孔高度H2、第一高度系数h1、第二高度系数h2以及第三高度系数h3，
其中，H1＜H2，0＜h1＜h2＜h3＜0.5，当H≤H1时，所述中控单元采用第一高度系数h1确定一次期望腐蚀高度HQ1并设定HQ1＝H
×
h1；当H1＜H≤H2时，所述中控单元采用第二高度系数h2确定一次期望腐蚀高度HQ1并设定HQ1＝H
×
h2；当H＞H2时，所述中控单元采用第三高度系数h3确定一次期望腐蚀高度HQ1并设定HQ1＝H
×
h3。4.根据权利要求3所述的陶瓷电镀工艺，其特征在于，所述步骤S2中，所述中控单元根据第一步平均单位腐蚀高度与标准单位腐蚀高度G0的比值ΔB确定对第一步腐蚀的腐蚀时间的调节方式，所述中控单元设置有第一预设比值ΔB1、第二预设比值ΔB2、第一腐蚀时间系数t1以及第二腐蚀时间系数t2，其中，0.8＜ΔB1＜1＜ΔB2＜1.2，0＜t2＜1＜t1＜1.5，设定G
i
为第i个通孔在单位时间t内的第一步单位腐蚀高度，n为所述通孔的总数量，i＝1，2，3，
…
，n，当ΔB≤ΔB1时，所述中控单元判定采用第一腐蚀时间系数t1对第一步腐蚀的腐蚀时间进行调节，所述中控单元将调节...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈绍枢，鲁娟，汤琳，
申请(专利权)人：北京华江文化集团有限公司，
类型：发明
国别省市：