一种纳米棒结构Ｂｉ２Ｓ３光学薄膜的制备方法技术

一种纳米棒结构Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］光学薄膜的制备方法，将分析纯的Ｂｉ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.５Ｈ↓［２］Ｏ加入蒸馏水中得溶液记为Ａ；向Ａ溶液中加入分析纯的Ｎａ↓［２］Ｓ↓［２］Ｏ↓［３］和柠檬酸三钠得溶液记为Ｂ；将Ｂ溶液置于电沉积装置中，将ＩＴＯ玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极，采用石墨为阳极，用阴极恒电压沉积的方式在ＩＴＯ玻璃基板上制备Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］薄膜记为Ｃ；将薄膜Ｃ浸入溶液Ｂ中并放入微波消解罐，然后密封放入微波消解仪反应结束后得纳米棒结构Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］光学薄膜。本发明专利技术采用微波水热法结合微波和水热法优点，提高薄膜的结晶性能，提升薄膜的质量。按本发明专利技术的方法能够得到微观形貌均匀、纳米棒结构的Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］薄膜。此方法设备简单，操作简便，无需昂贵的真空装置，可低成本高效的得到Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米棒结构Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］光学薄膜的制备方法，其特征在于：　１）首先将分析纯的Ｂｉ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.５Ｈ↓［２］Ｏ加入蒸馏水中，并将其置于超声波发生器中超声分散，配制成Ｂｉ↑［３＋］浓度为０．０１ｍｏｌ／Ｌ～０．５ｍｏｌ／Ｌ的透明溶液，所得溶液记为Ａ；　２）然后，向Ａ溶液中加入分析纯的Ｎａ↓［２］Ｓ↓［２］Ｏ↓［３］和柠檬酸三钠，使得混合溶液中［Ｂｉ↑［３＋］］∶［Ｓ↓［２］Ｏ↓［３］↑［２－］］∶［Ｃ↓［６］Ｈ↓［５］Ｏ↓［７］↑［３－］］＝１∶４～７∶１的摩尔比，搅拌下调节ｐＨ值为４．３～６．５，形成前驱物溶液，所得溶液记为Ｂ；　３）将Ｂ溶液置于电沉积装置中，将ＩＴＯ玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极，采用石墨为阳极，用阴极恒电压沉积的方式在ＩＴＯ玻璃基板上制备Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］薄膜；沉积电压为０．５～１０Ｖ，沉积时间为１０～３０ｍｉｎ，沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干，得到薄膜记为Ｃ；　４）将如上所制备的薄膜Ｃ浸入溶液Ｂ中并放入微波消解罐，然后将微波消解罐密封并放入微波消解仪中，按微波消解仪的最高温度控制模式升温到９０℃～２００℃水热处理５ｍｉｎ～１８０ｍｉｎ；反应结束后，将罐冷却到室温，薄膜取出自然晾干，即得纳米棒结构Ｂｉ↓［２］Ｓ↓［３］光学薄膜。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄剑锋，王艳，曹丽云，朱辉，吴建鹏，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]