本发明专利技术提供了一种NiCr合金蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)真空感应熔炼得到NiCr合金铸锭；(2)步骤(1)所得NiCr合金铸锭进行热锻，冷却后再进行热轧，得到热轧料；(3)喷砂处理步骤(2)所述热轧料，去除热轧料的表面氧化层；(4)然后依次进行冲压、酸洗、清洗与真空干燥，得到所述NiCr合金蒸发料。本发明专利技术提供的制备方法能够合成适用于蒸发镀膜的NiCr合金蒸发料，其相对于纯镍蒸发源具有耐氧性好、强度高、无磁性、发射率高、耐腐蚀性能好、不软化、不变形且永久伸长率低等优点。不变形且永久伸长率低等优点。
【技术实现步骤摘要】
一种NiCr合金蒸发料及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种合金蒸发料，尤其涉及一种NiCr合金蒸发料及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]随着超大规模集成电路的飞速发展，半导体用芯片的集成度越来越高，运行速度要求也越来越快，随之而来芯片的封装要求也越来越高。封装中的背金工艺尤为重要，背金工艺即背面金属化，是连接前部芯片和后部装配的重要工艺，直接影响到后续的装配成品率以及热阻等参数，对器件的可靠性有着重要影响。
[0003]现有技术中的背金工艺主要通过蒸发镀膜原理将钛、镍以及银这三种金属先后沉积在芯片背面，其中钛和硅能很好的结合，镍作为中间过渡层，而最外面的银层则能够起到保护镍层以及导电的作用。
[0004]镍作为中间过渡层金属需要具有连接钛层与银层的作用，还需要具有优良的导电以及导热性能。但镍具有磁性，容易收到外界磁场干扰，从而导致芯片背金工艺后的寿命缩短。
[0005]而NiCr合金层相比于纯镍层具有耐氧性好、强度高、无磁性、发射率高、耐腐蚀性好、不软化、不变形以及永久伸长率低等优点，有利于提高镀层的综合性能，从而提高芯片封装的质量并延长其使用寿命。
[0006]因此，提供一种适用于半导体蒸发镀膜用的NiCr合金蒸发料及其制备方法与应用有利于提高芯片封装的质量。
技术实现思路
[0007]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种NiCr合金蒸发料及其制备方法与应用，所述制备方法能够合成4N以上的NiCr合金蒸发料，应用于蒸发镀膜时所得NiCr合金层具有耐氧性好、强度高、无磁性、发射率高、耐腐蚀性能好、不软化、不变形且永久伸长率低等优点，提升了芯片封装的质量并延长其使用寿命。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供了一种NiCr合金蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0010](1)真空感应熔炼得到NiCr合金铸锭；
[0011](2)步骤(1)所得NiCr合金铸锭进行热锻，冷却后再进行热轧，得到热轧料；
[0012](3)喷砂处理步骤(2)所述热轧料，去除热轧料的表面氧化层；
[0013](4)然后依次进行冲压、酸洗、清洗与真空干燥，得到所述NiCr合金蒸发料。
[0014]本专利技术提供的所述制备方法能够合成4N以上的NiCr合金蒸发料，所得NiCr合金蒸发料的组织均匀且表面洁净。应用于蒸发镀膜时所得NiCr合金层具有耐氧性好、强度高、无磁性、发射率高、耐腐蚀性能好、不软化、不变形且永久伸长率低等优点，提升了芯片封装的
质量并延长其使用寿命。
[0015]优选地，步骤(1)所述NiCr合金铸锭中Cr的含量为5
‑
20wt％。
[0016]优选地，步骤(1)所述NiCr合金铸锭的原料中，Ni的纯度≥4N，Cr的纯度≥4N。
[0017]优选地，步骤(2)所述热锻的温度为800
‑
850℃。
[0018]优选地，步骤(2)所述热锻为三向热锻，每个方向的锻造变形量为40
‑
50％。
[0019]优选地，步骤(3)所述喷砂处理所用喷砂颗粒为级配刚玉砂；所述级配刚玉砂包括质量比1:(1
‑
3)的第一刚玉砂与第二刚玉砂。
[0020]优选地，所述第一刚玉砂的粒径为50
‑
80目。
[0021]优选地，所述第二刚玉砂的粒径为100
‑
150目。
[0022]优选地，步骤(4)所述酸洗所用混合酸包括体积比(1
‑
3):(1
‑
3):1的硝酸、盐酸以及水。
[0023]优选地，步骤(4)所述酸洗的时间为8
‑
12min。
[0024]优选地，步骤(4)所述清洗为使用异丙醇进行清洗，清洗时间为5
‑
10min。
[0025]优选地，步骤(4)所述真空干燥的温度为60
‑
80℃，时间为60
‑
80min。
[0026]作为本专利技术第一方面所述制备方法的优选技术方案，所述制备方法包括如下步骤：
[0027](1)真空感应熔炼得到NiCr合金铸锭；所述NiCr合金铸锭中Ni的含量为5
‑
20wt％；所述NiCr合金铸锭的原料中，Ni的纯度≥4N，Cr的纯度≥4N；
[0028](2)步骤(1)所得NiCr合金铸锭在800
‑
850℃的条件下进行三向热锻，每个方向的锻造变形量为40
‑
50％，水冷至15
‑
25℃后再进行热轧，得到热轧料；
[0029](3)喷砂处理步骤(2)所述热轧料，去除热轧料的表面氧化层；所述喷砂处理所用喷砂颗粒为质量比1:(1
‑
3)的第一刚玉砂与第二刚玉砂；所述第一刚玉砂的粒径为50
‑
80目；所述第二刚玉砂的粒径为100
‑
150目；
[0030](4)然后依次进行冲压、酸洗、清洗与真空干燥，得到所述NiCr合金蒸发料；所述酸洗所用混合酸包括体积比(1
‑
3):(1
‑
3):1的硝酸、盐酸以及水，酸洗的时间为8
‑
12min；所述清洗为使用异丙醇进行清洗，清洗时间为5
‑
10min；所述真空干燥的温度为60
‑
80℃，时间为60
‑
80min，真空度为0.01Pa以下。
[0031]第二方面，本专利技术提供了一种NiCr合金蒸发料，所述NiCr合金蒸发料由第一方面所述制备方法制备得到。
[0032]第三方面，本专利技术提供了一种如第二方面所述NiCr合金蒸发料的应用，所述NiCr合金蒸发料用于蒸发镀膜NiCr合金层。
[0033]本专利技术所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
[0034]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0035]本专利技术提供的所述制备方法能够合成4N以上的NiCr合金蒸发料，应用于蒸发镀膜时所得NiCr合金层具有耐氧性好、强度高、无磁性、发射率高、耐腐蚀性能好、不软化、不变形且永久伸长率低等优点，提升了芯片封装的质量并延长其使用寿命。
具体实施方式
[0036]下面通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。
[0037]本专利技术的某个实施例提供了一种NiCr合金蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0038](1)真空感应熔炼得到NiCr合金铸锭；
[0039](2)步骤(1)所得NiCr合金铸锭进行热锻，冷却后再进行热轧，得到热轧料；
[0040]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种NiCr合金蒸发料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)真空感应熔炼得到NiCr合金铸锭；(2)步骤(1)所得NiCr合金铸锭进行热锻，冷却后再进行热轧，得到热轧料；(3)喷砂处理步骤(2)所述热轧料，去除热轧料的表面氧化层；(4)然后依次进行冲压、酸洗、清洗与真空干燥，得到所述NiCr合金蒸发料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述NiCr合金铸锭中Cr的含量为5
‑
20wt％。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述NiCr合金铸锭的原料中，Ni的纯度≥4N，Cr的纯度≥4N。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述热锻的温度为800
‑
850℃；优选地，步骤(2)所述热锻为三向热锻，每个方向的锻造变形量为40
‑
50％。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述喷砂处理所用喷砂颗粒为级配刚玉砂；所述级配刚玉砂包括质量比1:(1
‑
3)的第一刚玉砂与第二刚玉砂。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一刚玉砂的粒径为50
‑
80目；优选地，所述第二刚玉砂的粒径为100
‑
150目。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述酸洗所用混合酸包括体积比(1
‑
3):(1
‑
3):1的硝酸、盐酸以及水；优选地，步骤(4)所述酸洗的时间为8
‑
12min；优选地，步骤(4)所述清洗为使用异丙醇进行清洗，清洗时间为5
‑
10min；优选地，步骤(4)所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，廖培君，王学泽，慕二龙，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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