【技术实现步骤摘要】
用于形成FET器件的方法
[0001]本专利技术构思涉及一种用于形成场效应晶体管(FET)器件的方法。
技术介绍
[0002]摩尔定律，将晶体管的占地面积每2年按因子2缩放，即晶体管栅极长度L按因子√2缩放，一直是电子工业的驱动力，将晶体管的长度扩展到极限。如今，两个相继晶体管的栅极之间的最小距离(称为接触多晶硅间距CPP或栅极间距CGP的测量)已被缩放到大约50nm。限制进一步CPP缩放的器件参数包括栅极长度、源极/漏极接触面积和栅极间隔物宽度。
技术实现思路
[0003]本专利技术构思的目的是提供一种用于形成具有可实现进一步CPP缩放的新颖设计的半导体器件(特别是FET器件)的方法。可从下文中理解附加目的和替换目的。
[0004]根据一方面，提供了一种用于形成FET器件的方法，该方法包括：
[0005]形成包括层堆叠的鳍结构，所述层堆叠包括沟道层和与所述沟道层交替的非沟道层，鳍结构包括第一鳍部、第二鳍部、以及在第一鳍部和第二鳍部之间的第三鳍部；
[0006]从鳍结构的第一和第二相对...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于形成场效应晶体管器件(100；200)的方法，所述方法包括：形成鳍结构(1010；2010)，所述鳍结构包括层堆叠，所述层堆叠包括沟道层(1004；2004)和与所述沟道层(1003；2004)交替的非沟道层(1022、1006；2022)，所述鳍结构(1010；2020)包括第一鳍部(1010s；2010s)、第二鳍部(1010d；2010d)和位于所述第一鳍部和第二鳍部之间的第三鳍部(1010c；2010c)；从所述鳍结构(1010；2010)的第一和第二相对侧(1010a、1010b；2010a、2010b)的每一者横向地蚀刻所述第一鳍部和第二鳍部(1010s、1010d；2010s、2010d)中的每一者，使得在所述层堆叠的第一组层中形成延伸穿过所述第一鳍部的一组源极腔(1048；2048)，并且使得在所述层堆叠的所述第一组层中形成延伸穿过所述第二鳍部的一组漏极腔(1048；2048)；用虚设材料(1049)填充所述源极腔和所述漏极腔(1048；2048)；在从所述第二侧(1010b；2010b)掩蔽所述鳍结构的同时：
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通过从所述第一侧(1010a；2010a)进行蚀刻来从所述源极腔和所述漏极腔去除所述虚设材料，以及
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随后，形成源极主体和漏极主体(1120s、1120d；2120s、2120d)，每一者包括沿所述第一侧(1010a；2010a)的相应公共主体部分(1122)和分别从所述相应公共主体部突出进入所述源极腔和所述漏极腔中并邻接所述沟道层(1004；2004)的一组叉齿(1124)；以及在从所述第一侧(1010a；2010a)掩蔽所述鳍结构的同时：
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从所述第二侧(1010b；2010b)横向地蚀刻所述第三鳍部(1010c；2010c)，使得在所述层堆叠的第二组层中形成延伸穿过所述第三鳍部的一组栅极腔(1060；2060)，所述第二组层不同于所述第一组层，以及
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随后，形成栅极主体(1140；2140)，所述栅极主体包括沿所述第二侧的公共栅极主体部分(1142；2142)和从所述公共栅极主体部分突出进入所述栅极腔(1160；2160)中的一组栅极叉齿(1144；2144)。2.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道层(1004)是沟道材料的，并且所述非沟道层是交替的第一层材料的第一非沟道层(1022)和第二层材料的第二非沟道层(1006)，以及其中所述蚀刻所述第一鳍部(1010s)和所述第二鳍部(1010d)以形成所述源极腔和漏极腔(1048)包括选择性地蚀刻所述第一层材料，以及其中所述蚀刻所述第三鳍部(1010c)以形成所述栅极腔(1060)包括选择性地蚀刻所述第二层材料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一层材料是第一介电材料。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述鳍结构(1010)包括：形成初步鳍结构(1010)，所述初步鳍结构包括所述沟道层(1004)和与所述沟道层(1004)交替的非沟道层，所述非沟道层是交替的牺牲半导体材料的牺牲层(1002)和所述第二层材料的第二非沟道层；形成与所述初步鳍结构(1010)邻接的支撑结构(1014)；以及在所述支撑结构支撑所述初步鳍结构的同时，将所述牺牲层(1002)替换成所述第一非沟道层(1022)。
5.根据权利要求2
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4中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括，在形成所述源极腔和漏极腔(1...
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