用于形成FET器件的方法技术

提供了一种形成FET器件的方法，包括：形成初步器件结构，其包括包含层堆叠的鳍结构及沿鳍结构的第一侧的沉积层和沿鳍结构的第二侧的虚设结构，其中层堆叠包括沟道层和与沟道层交替的非沟道层；形成掩模线；沿鳍结构的第一侧在沉积层中形成源极和漏极沟槽；通过从源极和漏极沟槽蚀刻鳍结构，在层堆叠中形成一组源极和漏极腔；形成包括公共主体和从公共主体突出进入源极和漏极腔中的一组叉齿的源极主体和漏极主体；将掩模线嵌入覆盖材料中并去除掩模结构；通过蚀刻虚设结构来形成栅极沟槽；通过从栅极沟槽蚀刻鳍结构在层堆叠中形成一组栅极腔；和形成包括栅极沟槽中的公共栅极主体和从公共栅极主体突出进入栅极腔中的一组栅极叉齿的栅极主体。极叉齿的栅极主体。极叉齿的栅极主体。

【技术实现步骤摘要】
用于形成FET器件的方法


[0001]本专利技术构思涉及一种用于形成场效应晶体管(FET)器件的方法。

技术介绍

[0002]摩尔定律，将晶体管的占地面积每2年按因子2缩放，即晶体管栅极长度L按因子√2缩放，一直是电子工业的驱动力，将晶体管的长度扩展到极限。如今，两个相继晶体管的栅极之间的最小距离(称为接触多晶硅间距CPP或栅极间距CGP的测量)已被缩放到大约50nm。限制进一步CPP缩放的器件参数包括栅极长度、源极/漏极接触面积和栅极间隔物宽度。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的目的是提供一种用于形成具有可实现进一步CPP缩放的新颖设计的半导体器件(特别是FET器件)的方法。可从下文中理解附加目的和替换目的。
[0004]根据一方面，提供了一种用于形成场效应晶体管器件的方法，该方法包括：
[0005]在基板上形成初步器件结构，该初步器件结构包括鳍结构，该鳍结构包括层堆叠，该层堆叠包括沟道层和与沟道层交替的非沟道层，该初步器件结构还包括沿鳍结构的第一侧的沉积层和沿鳍结构的相对第二侧的虚设(dummy)结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成场效应晶体管器件(100；200)的方法，所述方法包括：在基板(1102)上形成初步器件结构，所述初步器件结构包括鳍结构(1010；2010)，所述鳍结构包括层堆叠，所述层堆叠包括沟道层(1004；2004)和与所述沟道层交替的非沟道层(1022、1006；2022)，所述初步器件结构还包括沿所述鳍结构的第一侧(1010a；2010a)的沉积层(1014；2014)和沿所述鳍结构的相对的第二侧(1010b；2010b)的虚设结构(1024；2024)；在所述初步器件结构上形成掩模线(1026；2026)，所述掩模线跨所述鳍结构(1010；2010)和所述虚设结构(1024；2024)延伸；沿所述鳍结构(1010；2010)的第一侧(1010a；2010a)在所述沉积层(1004；2014)中在相对于所述掩模线(1026；2026)的相对侧形成源极沟槽(1032s；2032s)和漏极沟槽(2032d；2032d)；通过从所述源极沟槽和所述漏极沟槽(1032s，1032d)蚀刻所述鳍结构，在所述层堆叠的第一组层中形成一组源极腔(1036s；2036s)和一组漏极腔(1036d；2036d)；形成源极主体和漏极主体(1120s、1120d；2120s、2120d)，每一者包括沿所述第一侧的相应公共主体部分(1122；2122)和分别从所述相应公共主体部突出进入所述源极腔和所述漏极腔中并邻接所述沟道层(1004；2004)的一组叉齿(1124；2124)；以及将所述掩模线(1026；2026)嵌入覆盖材料中，并随后去除所述掩模结构(1026、2026)以暴露所述虚设结构(1024；2024)的一部分；在去除所述掩模线(1026；2026)之后，通过蚀刻所述虚设结构(1024；2024)形成栅极沟槽(1046；2046)；通过从所述栅极沟槽蚀刻所述鳍结构，在所述层堆叠的第二组层中形成一组栅极腔(1048；2048)，所述第二组层不同于所述第一组层；以及形成栅极主体(1140；2140)，所述栅极主体包括在所述栅极沟槽(1046；2046)中的公共栅极主体部分(1142；2142)和从所述公共栅极主体部分突出进入所述栅极腔(1048；2048)中的一组栅极叉齿(1144；2144)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述源极沟槽和漏极沟槽(1032s、1032d)之前，在使用所述掩模线(1026)作为注入掩模的同时对所述鳍结构(1010)进行离子注入工艺。3.根据权利要求1
‑
2中的任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道层(1004)是沟道材料的，并且所述非沟道层是交替的第一层材料的第一非沟道层(1022)和第二层材料的第二非沟道层(1006)，其中形成所述一组源极腔(1036s)和所述一组漏极腔(1036d)包括分别从所述源极沟槽(1032s)和所述漏极沟槽(1032d)选择性地蚀刻所述第一层材料，以及其中形成所述一组栅极腔(1048)包括从所述栅极沟槽(1046)选择性地蚀刻所述第二层材料。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一层材料是第一介电材料。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述初步器件包括：形成初步鳍结构(1010)，所述初步鳍结构包括所述沟道层(1004)和与所述沟道层(1004)交替的非沟道层，所述非沟道层是交替的牺牲半导体材料的牺牲层(1002)和所述第
二层材料的第二非沟道层；形成与所述初步鳍结构(1010)邻接的支撑结构(1014)；以及在所述支撑结构支撑所述初步鳍结构的同时，将所述牺牲层(1002)替换成所述第一非沟道层(1022)。6.根据权利要求3
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5中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾文德，G，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：