减小栅极高度损失的方法技术

本发明专利技术提供了一种减小栅极高度损失的方法，在栅极上形成第一截止层与第二截止层，所述第二截止层作为第一次平坦化的停止层，所述第一截止层作为第二次平坦化的停止层，能够避免两次平坦化直接接触栅极，从而减少了栅极高度的损失；并且在制作栅极时栅极的高度无需再增加，则栅极线条刻蚀和源漏外延生长刻蚀以及栅极切断三个步骤中的深宽比无需再增加，从而扩大了工艺窗口；另外，平坦化工艺不接触到栅极会使工艺难度降低，而且在进行栅极切断时采用第二截止层作为掩膜，减少了一次硬掩膜层的沉积，简化了工艺。简化了工艺。简化了工艺。

【技术实现步骤摘要】
减小栅极高度损失的方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种减小栅极高度损失的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，传统的平面器件已难以满足人们对高性能器件的需求。鳍式场效应晶体管(Fin
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Field
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Effect
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Transistor，简称FinFET)是一种立体型器件，包括在衬底上垂直形成的鳍以及与鳍相交的高介电常数金属栅极(HKMG)，这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，同时也可以大幅缩短晶体管的闸长。
[0003]在FinFET制造工艺中，随着工艺尺寸的不断减小，对刻蚀工艺来讲，所需深度和宽度比值要求也越来越高，深宽比越小越有利于增加工艺的窗口，所做器件才更稳定，性能更优，良率更好。这对FinFET栅极高度的要求越来越高，在当前现有工艺中在中间介质层填充，栅极切断以及其后面的鳍切断三个步骤中都会用到化学机械研磨工艺，三次的研磨工艺都是停在栅极上。首先，三次研磨制程都会接触到栅极，会损失栅极高度90埃，后续制程所需栅极高度不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小栅极高度损失的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有鳍部、栅极以及位于所述栅极上且自下而上依次层叠的第一截止层、第二截止层与第一硬掩模层；形成层间介质层，所述层间介质层填满所述栅极之间的间隙并覆盖所述衬底；进行第一次平坦化至暴露出所述第二截止层；以所述第二截止层为掩膜进行栅极的切断，形成第一凹槽；填充第一隔离材料在所述第一凹槽内，并进行第二次平坦化，至暴露出所述第一截止层；形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层覆盖所述第一截止层；以所述第二硬掩膜层为掩膜进行鳍部的切断，形成第二凹槽；以及填充第二隔离材料在所述第二凹槽内，并进行第三次平坦化，至暴露出所述栅极。2.根据权利要求1所述的减小栅极高度损失的方法，其特征在于，所述第一截止层与所述第二截止层的材质不同。3.根据权利要求2所述的减小栅极高度损失的方法，其特征在于，所述第一截止层的材质包括氧化硅，所述第二截止层的材质包括氮化硅。4.根据权利要求1所述的减小栅极高度损失的方法，其特征在于，采用流动式化学气相沉积法形成所述层间介质层。5.根据权利要求1所述的减小栅极高度损失的方法，其特征在于，进行第一次平坦化至暴露出所述第二截止层的方法包括：对所述层间介质层、所述第一硬掩膜层依次进行第一次化学机械研磨，至暴露出所述第二截止层。6.根据权利要求1所述的减小栅极高度损失的方法，其特征在于，以所述第二截止层为掩膜进行栅极的切断，形成第一凹槽的方法包括：形成图形化的第一光刻胶层在所述第二截止层上；以图形化的所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二截止层，以形成图形化的第二截止层；去除图形化的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐长文，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：