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本发明提供了一种减小栅极高度损失的方法,在栅极上形成第一截止层与第二截止层,所述第二截止层作为第一次平坦化的停止层,所述第一截止层作为第二次平坦化的停止层,能够避免两次平坦化直接接触栅极,从而减少了栅极高度的损失;并且在制作栅极时栅极的高度...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种减小栅极高度损失的方法,在栅极上形成第一截止层与第二截止层,所述第二截止层作为第一次平坦化的停止层,所述第一截止层作为第二次平坦化的停止层,能够避免两次平坦化直接接触栅极,从而减少了栅极高度的损失;并且在制作栅极时栅极的高度...