温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种用于形成FET器件的方法，包括：形成包括层堆叠的鳍结构，层堆叠包括沟道层和与沟道层交替的非沟道层；从鳍结构的第一和第二相对侧中的每一者蚀刻第一鳍部和第二鳍部中的每一者，使得在层堆叠的第一组层中形成延伸穿过第一鳍部的一组源极腔以及延...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。