薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板与显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板与显示装置，其中，薄膜晶体管的制备方法包括：制备非晶硅层；对非晶硅层进行离子注入；对离子注入后的非晶硅层进行激光退火，以得到多晶硅层并使注入的离子活化；在多晶硅层中形成源区以及漏区。本申请实施例提供的薄膜晶体管制备方法能够提高薄膜晶体管掺杂的活化比例，降低薄膜晶体管阻抗，进而提升显示装置的显示效果。装置的显示效果。装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板与显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板与显示装置。

技术介绍

[0002]当前的电子类产品件，如显示装置中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)是一种极为常用的电子器件，这些电子元器件中会采用TFT作为驱动或控制元件，相应地，TFT的阻抗和迁移率等特性会对产品的性能产品影响，如影响显示装置的响应速度、亮度、对比度等显示性能。但现有的薄膜晶体管往往存在迁移率低、阻抗高的问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板与显示装置，其中薄膜晶体管的制备方法能够提高薄膜晶体管的离子活化比例，降低薄膜晶体管阻抗，改善薄膜晶体管性能。
[0004]第一方面，根据本申请实施例提出了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：制备非晶硅层；对非晶硅层进行离子注入；对离子注入后的非晶硅层进行激光退火，以得到多晶硅层并使注入的离子活化；在多晶硅层中形成源区以及漏区。
[0005]根据本申请实施例的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：制备非晶硅层；对所述非晶硅层进行离子注入；对离子注入后的所述非晶硅层进行激光退火，以得到多晶硅层并使注入的离子活化；在所述多晶硅层中形成源区以及漏区。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备非晶硅层的步骤包括：在基板上制备非晶硅层；相应的，所述对离子注入后的所述非晶硅层进行激光退火的步骤之后还包括：在所述多晶硅层上形成栅极和栅极绝缘层；或者，所述制备非晶硅层的步骤之前还包括：在基板上制备栅极和栅极绝缘层；相应的，所述制备非晶硅层的步骤包括：在所述栅极绝缘层上制备非晶硅层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层中形成源区以及漏区之后，还包括：对所述多晶硅层进行退火，以使注入的离子再次活化。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行离子注入的步骤中包括，采用5
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【专利技术属性】
技术研发人员：彭兆基，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：