一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法。该单晶制绒硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面区域不具有金字塔绒面结构，除所述边缘区域和侧面区域以外的其它区域具有金字塔绒面结构。该单晶制绒硅片制备方法包括：腐蚀抛光；形成掩膜；制绒；将掩膜去除。该硅片或电池片的边缘没有金字塔状的绒面结构，是比较光滑的结构，当硅片或电池片受到弯折、震动、热冲击时，能有效避免产生应力集中，因此提高了硅片或电池片的机械强度，降低生产过程中硅片发生碎裂的几率，提高电池片、电池组件产品的可靠性。电池组件产品的可靠性。电池组件产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法


[0001]本专利技术属于太阳电池
，特别涉及一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法。

技术介绍

[0002]单晶硅太阳电池是一种利用光生伏特效应把光能转换成电能的器件，为了提高光线的吸收效率，通常要在硅片表面制备出陷光微结构，以降低光线反射率，此步骤称为制绒。单晶硅片的制绒一般是利用碱液对单晶硅的各向异性腐蚀效应，在硅片表面制备出金字塔状的形貌，光线在金字塔表面发生多次反射和吸收，从而提高光吸收效率。但这种金字塔结构会降低硅片的机械强度，因为相邻的金字塔之间形成了一个比较尖锐的夹角，类似于在硅片上形成了许多缺口，当硅片受到弯折、震动、热冲击(温度发生剧烈的变化)时，缺口位置会产生应力集中，导致硅片更容易发生碎裂。在电池片的生产、电池组件的生产以及光伏产品的使用过程中，都有可能发生硅片碎裂的情况，导致整张电池片甚至整个电池组件报废，硅片的碎片还有可能导致设备故障停机，造成严重的经济损失。
[0003]为了降低硅片成本，太阳电池所用的硅片厚度逐渐下降，硅异质结太阳电池更是使用了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种边缘抛光的单晶制绒硅片，其特征在于，所述硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面区域不具有金字塔绒面结构，除所述边缘区域和侧面区域以外的其它区域具有金字塔绒面结构。2.根据权利要求1所述的一种边缘抛光的单晶制绒硅片，其特征在于，所述不具有金字塔绒面结构的边缘区域的宽度为0.1mm～5mm。3.一种边缘抛光的单晶制绒硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)在碱性溶液中对硅片进行腐蚀抛光；(2)在步骤(1)中抛光硅片的边缘涂敷胶水，然后烘干形成掩膜，掩膜覆盖的区域为硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面；(3)将步骤(2)中形成掩膜的硅片在含有制绒添加剂的碱性溶液中进行制绒；(4)将步骤(3)中制绒后的硅片清洗，将掩膜溶解去除。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中碱性溶液包含NaOH、KOH中的至少一种；碱性溶液中碱的质量分数为1％
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25％；腐蚀抛光温度为60
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90℃，腐蚀抛光时间为0.5min～10min。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中胶水为乙基纤维素和无水乙醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜俊霖，刘正新，刘文柱，石建华，韩安军，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：