【技术实现步骤摘要】
一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法
[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域,特别涉及一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法。
技术介绍
[0002]PERC电池,背面采用氧化铝/氮化硅的叠层或是氮化硅/氮氧化硅的叠层钝化结构。这些叠层结构都无法被铝浆在高温下烧穿形成良好的接触,必须使用激光将膜层消融,打开铝浆与硅基底的接触通道。在激光开膜的过程中,必然会对硅基底造成带来一定损伤,因为激光产生的高温会使得硅基底表面形成晶格缺陷,造成额外的复合中心,从而使得最终电池转换效率降低。一般地,PERC太阳能电池背面激光开槽面积占比为0.5%~3%,由于激光损伤带来implied_Voc损失大约为2~5mV,体现在太阳能电池效率上,其效率损失0.1%~0.25%。
[0003]CN109616556A一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法在背面镀膜后先进行背面激光开槽然后在进行正面镀膜,利用正面镀膜所需要的加热过程修复激光开槽时产生的损伤,此方式优势在于不需要增加任何额外的工序,但也由于其利用的是正 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、对P型单晶硅片的正面和反面进行制绒,制备出金字塔形状的绒面结构;采用KOH或NaOH溶液对硅片进行制绒,制备出金字塔底座边长1
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3μm的绒面结构;S2、在所述P型单晶硅片的正面和/或反面进行磷扩散形成磷摻杂面;S3、使用激光器对P型单晶硅片的正面进行局域掺杂,形成PN结作为选择性发射极;激光掺杂后方阻为60
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100Ω;S4、用酸或减溶液对P型单晶硅片进行清洗和背面刻蚀,去除背面扩散层和侧面导电通道;S5、在管式热氧化炉中对P型单晶硅片进行热氧化;S6、在背面沉积氧化铝与氮化硅叠层或氮化硅与氮氧化硅叠层;S7、在正面沉积钝化减反射层;S8、激光开膜和损伤修复:使用第一激光器开膜后,在旋转台面的下一个工位,使用第二激光器对开膜后的损伤区域进行扫描,实现损伤区域的固相外延生长,使晶硅重新结晶恢复有序排列;第二激光器的光斑小于第一激光器的光斑,第二激光器的能量也小于第一激光器的能量;随后将P型单晶硅片置入晶硅太阳能烧结炉,所述晶硅太阳能烧结炉包括高温激活区和低温修复区,所述P型单晶硅片在高温激活区内进行高温热退火处理,以增加硅基底的整体晶格热运动,然后在低温修复区内进行低温热退火处理,以使硅基底重结晶;在所述开膜的区域和所述钝化减反射层表面沉积保护层,所述保护层为氮化硅薄膜;S9、在背面印刷第一电极和电场,在正面印刷第二电极。2.根据权利要求1所述的修复PERC电池激光开膜损伤的方法,其特征在于,所述P型单晶硅片在高温激活区和低温修复区之间通过传送带传输,传送带的带速为500mm/min~4000mm/min,总退火时间为1min~12min。3.根据权利要求2所述的修复PERC电池激光开膜损伤的方法,其特征在于,所述高温激活区包括上高温激活区和下高温激活区,所述低温修复区包括上低温修复区和下低温修复区,所述上高温激活区、上低温修复区和下高温激活区、下低温修复区对称分设于传送带的两侧。4.根据权利要求1所述的修复PERC电池激光开膜损伤的方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱洪强,周海龙,张俊巍,李怡洁,王晓蕾,
申请(专利权)人:苏州腾晖光伏技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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