【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电，特别涉及一种集成光子芯片及其制备方法。
技术介绍
1、随着数据中心、云服务、超算中心等数据传输量的激增，可兼容上述应用的高密度光互联技术不可小觑，其能够实现更低的能耗和更快的数据传输速率，确保了低损数据互联和高算力、高保真度的信号处理。无论是普遍认为的光电混合计算亦或是商用化光模块，其均是基于电光调制的光电器件完成光学信号和电学信号的快速切换，因此获得低成本、高调制速率、小体积的大规模高速电光调制器及相关光子学器件是未来光芯片产业化的必经之路。
2、借鉴硅基材料在传统微电子芯片的发展，基于硅材料的硅基光子学平台在过去的二十几年来取得了飞速的发展，并且借助于硅材料的低成本和微电子产业成熟的制造工艺已实现了产业的标准化并且其产品已经在光通信、光计算和光传感领域取得了大规模实际应用。在硅基光子学取得商业化成功的同时，硅材料本身不具备的高速电光效应依然限制着硅基光子芯片在高线性度、高传输速率(如800g)、低光损耗场景中的应用。近年来，基于二阶非线性效应(泡克尔斯效应)，铌酸锂材料有望实现高线性度、高速电光...
【技术保护点】
1.一种集成光子芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成光子芯片，其特征在于，所述钽酸锂光子系统还包括微环谐振器、跑道型谐振器、阵列波导光栅和马赫曾达尔干涉仪中的一种或者多种的组合。
3.根据权利要求1所述的集成光子芯片，其特征在于，所述支撑衬底包括衬底和位于所述衬底上的光学绝缘层；
4.根据权利要求1所述的集成光子芯片，其特征在于，所述钽酸锂光子系统的功能包括用于光模块的电光互联系统、基于电光调制的高算力光计算系统、多通道光通信及波分复用系统。
5.根据权利要求4所述的集成光子芯片，其特征在于，所述用于光...
【技术特征摘要】
1.一种集成光子芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成光子芯片，其特征在于，所述钽酸锂光子系统还包括微环谐振器、跑道型谐振器、阵列波导光栅和马赫曾达尔干涉仪中的一种或者多种的组合。
3.根据权利要求1所述的集成光子芯片，其特征在于，所述支撑衬底包括衬底和位于所述衬底上的光学绝缘层；
4.根据权利要求1所述的集成光子芯片，其特征在于，所述钽酸锂光子系统的功能包括用于光模块的电光互联系统、基于电光调制的高算力光计算系统、多通道光通信及波分复用系统。
5.根据权利要求4所述的集成光子芯片，其特征在于，所述用于光模块的电光互联系统由马赫曾达尔电光调制器、光耦合接口、激光增益芯片、专用集成电路芯片和所述电互联系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，王成立，蔡佳辰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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