太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件技术

本申请实施例涉及一种太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；位于第一表面上的标记编码，标记编码包括多个凹坑，多个凹坑中的至少部分凹坑包括在沿垂直于第一表面的方向上步进式排布的多个阶梯；在沿垂直于第一表面的方向上，至少部分凹坑中的每一个凹坑在沿平行于第一表面的方向上的横截面积逐步增大，且凹坑底部的横截面积最小。至少有利于提升凹坑的光反射性能，进而使得构成标记编码的凹坑的特征便于识别，提高标记编码识别的准确性。提高标记编码识别的准确性。提高标记编码识别的准确性。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及太阳能电池
，特别涉及一种太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件。

技术介绍

[0002]化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
[0003]为了提高太阳能电池的光电转化效率，对太阳能电池的结构设计和材料构成进行优化改进是一种基本思路，为了实现设计制作的优化改进，对太阳能电池的生产制作过程中的工艺信息进行追溯十分必要。当前常用的方式是为电池片添加标记编码，然后通过对标记编码的识别，实现对电池组件在生产制作中的工艺信息和工艺流程的追溯。
[0004]然而，当前电池片工艺信息追溯实现的过程中电池片识别和信息追溯准确性有限。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池识别和工艺信息追溯的准确性。
[0006]本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有第一表面；位于所述第一表面上的标记编码，所述标记编码包括多个凹坑，所述多个凹坑中的至少部分凹坑包括在沿垂直于所述第一表面的方向上步进式排布的多个阶梯；在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述至少部分凹坑中的每一个凹坑在沿平行于所述第一表面的方向上的横截面积逐步增大，且凹坑底部的横截面积最小。
[0007]另外，所述第一表面包括环绕各所述凹坑的边缘区以及邻接所述边缘区的平坦区，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述边缘区与所述平坦区的高度差为0至5μm。
[0008]另外，所述多个阶梯包含的阶梯的数量为12至20。
[0009]另外，在沿平行于所述第一表面的方向上，所述多个阶梯中的任意一个阶梯的宽度为1μm至2μm；在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述多个阶梯中的任意一个阶梯的高度为0.2μm至0.6μm。
[0010]另外，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述凹坑的深度为4μm至8μm。
[0011]另外，在沿平行于所述第一表面的方向上，所述凹坑的最大长度为40μm至70μm。
[0012]另外，所述基底具有相对的正面和背面，所述第一表面为所述基底的背面。
[0013]相应的，本申请实施例还提供了一种太阳能电池制备方法，包括：提供基底，所述基底包括第一表面；在所述第一表面上，形成由多个凹陷点构成的原始标记编码；对所述基底进行制绒，形成覆盖所述第一表面及所述原始标记编码的绒面结构；对所述原始标记编码上的所述绒面结构进行清洗，形成由多个凹坑构成的标记编码，所述多个凹坑中的至少
部分凹坑包括在沿垂直于所述第一表面的方向上步进式排布的多个阶梯；在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述至少部分凹坑中的每一个凹坑在沿平行于所述第一表面的方向上的横截面积逐步增大，且凹坑底部的横截面积最小。
[0014]另外，所述基底具有相对的正面和背面，所述第一表面为所述基底的背面；对所述原始标记编码进行清洗的步骤包括：对所述第一表面进行整面清洗，去除所述原始标记编码上及所述第一表面上的所述绒面结构。
[0015]另外，形成所述标记编码的步骤包括：对所述第一表面进行激光刻蚀，以形成的所述多个凹陷点，所述多个凹陷点构成所述原始标记编码。
[0016]另外，所述激光刻蚀的工艺参数包括：激光波长为1059nm至1065nm，脉冲持续时间为10至100ns，脉冲重复频率为500kHz至2000kHz，激光功率百分比为70至75。
[0017]相应的，本申请实施例还提供了一种叠光伏组件，包括：电池串，所述电池串由多个上述的太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0018]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0019]本申请实施例提供的太阳能电池中，在进行电池片制作的过程中，先在太阳能电池基底的第一表面上形成由多个凹坑排列组合形成的标记编码，形成标记编码的多个凹坑中，至少部分凹坑包括在沿垂直于第一表面的方向上步进式排布的多个阶梯，即凹坑的坑壁由沿垂直于第一表面方向上的步进式阶梯组成，且在沿垂直于第一表面的方向上，凹坑在沿平行于第一表面的方向上的横截面积自凹坑底部至凹坑顶部逐步增大。通过利用坑壁由在沿垂直于第一表面的方向上步进式排布的阶梯构成的凹坑，进行标记编码的生成，借助步进式排布的阶梯提升凹坑的光反射性能，进而使得构成标记编码得凹坑的特征便于识别，从而降低标记编码识别过程中对光照的要求，提高标记编码识别的准确性；利用横截面积从底部至顶部逐步增大的凹坑进行标记编码的构建，降低标记编码形成过程中对基底的损伤的同时，尽可能增大凹坑的受光面积，便于进行凹坑和标记编码的准确识别。
附图说明
[0020]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0021]图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图；
[0022]图2为本申请一实施例提供的一种凹坑的俯视图；
[0023]图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖面图；
[0024]图4为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的结构示意图；
[0025]图5为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池制备方法流程图；
[0026]图6为本申请另一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
[0027]由
技术介绍
可知，当前的太阳能电池在进行电池片工艺信息追溯实现的过程中，电池片识别和信息追溯的准确性有限。
[0028]本申请一实施例提供了一种太阳能电池，在电池片生产制作的过程中，先在基底
的第一表面上形成标记编码，标记编码由多个凹坑构成，且构成标记编码的至少部分凹坑包括在沿垂直于第一表面方向上步进式排布的多个阶梯，即，利用坑壁为步进式排布的多个阶梯的凹坑进行标记编码的制作，借助凹坑坑壁上步进式排布的多个阶梯提升凹坑的光反射性能，进而使得凹坑的特征便于识别，从而降低标记编码在识别过程中对光照的要求，提高标记编码识别的准确性和适应性；在沿垂直于第一表面的方向上，每个凹坑在沿平行于第一表面方向上的横截面积逐步增大，且凹坑底部的横截面积最小，即，利用从凹坑顶部至凹坑底部横截面积逐渐减小的凹坑进行标记编码的构建，在尽可能降低凹坑形成过程中对基底的损伤的同时，使得凹坑能够具有较大的受光面积，便于进行凹坑和标记编码的准确识别。
[0029]下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有第一表面；位于所述第一表面上的标记编码，所述标记编码包括多个凹坑，所述多个凹坑中的至少部分凹坑包括在沿垂直于所述第一表面的方向上步进式排布的多个阶梯；在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述至少部分凹坑中的每一个凹坑在沿平行于所述第一表面的方向上的横截面积逐步增大，且凹坑底部的横截面积最小。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一表面包括环绕各所述凹坑的边缘区以及邻接所述边缘区的平坦区，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述边缘区与所述平坦区的高度差为0至5μm。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个阶梯包含的阶梯的数量为12至20。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿平行于所述第一表面的方向上，所述多个阶梯中的任意一个阶梯的宽度为1μm至2μm；在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述多个阶梯中的任意一个阶梯的高度为0.2μm至0.6μm。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述凹坑的深度为4μm至8μm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿平行于所述第一表面的方向上，所述凹坑的最大长度为40μm至70μm。7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底具有相对的正面和背面，所述第一表面为所述基底的背面。8.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一表面；在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王格，吴君立，黄纪德，金井升，刘长明，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：