一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，产品依次经过2个SC1槽清洗、纯水槽溢流清洗、O3槽喷淋、HF槽去除硅表面金属、纯水槽溢流，然后经慢提拉槽从硅片表面剥离部分水珠，最后经烘干槽使硅表面残留的水分蒸发。其中，HF槽中，HF和纯水之间的体积比不高于1:1500；同时该HF槽的过滤器每隔5～7天充分排残液一次；慢提拉槽与烘干槽的FFU压力为40pa。通过上述改进后发现，硅片经多道清洗工序后，在慢提拉槽可剥离80％～90％的水珠，剩余水珠经烘干槽烘干后可完全消失，严格避免了在硅片表面产生水珠印迹的情况。在硅片表面产生水珠印迹的情况。在硅片表面产生水珠印迹的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法


[0001]本专利技术属于半导体硅片
，涉及硅片清洗，具体涉及一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法。

技术介绍

[0002]半导体硅片是汽车、手机、PC等领域必不可少的半导体材料。随着半导体器件的轻便化和集中度发展，对基础材料的硅片也有了更高的要求，尤其在洁净方面，其要求标准等级更高。因此，提升硅片制造工程中洗净工程能力势在必行。
[0003]半导体器件生产中硅片须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅片表面污染杂质，这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。杂质种类从成分上包括有机物和无机物，其中，有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维；无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导，碱金属如钠等，引起严重漏电。此外，硅片表面的颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，容易导致各种缺陷。
[0004]硅片表面清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于，产品依次经过2个SC1槽清洗、纯水槽溢流清洗、O3槽喷淋、HF槽去除硅表面金属、纯水槽溢流，然后经慢提拉槽从硅片表面剥离部分水珠，最后经烘干槽使硅表面残留的水分蒸发，其中，所述HF槽中，HF和纯水之间的体积比不高于1:1500，同时该HF槽的过滤器每隔5～7天充分排残液一次，慢提拉槽与烘干槽的FFU压力为40pa。2.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：其中，所述HF槽中，HF和纯水之间的体积比为1:1500～1:3000。3.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：其中，所述HF槽外增设照明灯与刻度线，对每次换液...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾莹，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：