一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，包括步骤：将塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，将得到的预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；将腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。本发明专利技术通过利用预处理(激光雕刻)与腐蚀池进行腐蚀相互结合的方式，提前将样品表面的环氧树脂层减薄，为后续的腐蚀阶段节省时间；并且本发明专利技术的半导体塑封料去除方法可以多个样品同时操作，酸量充足，腐蚀速度快，腐蚀程度可控，对半导体内部结构破坏性小，环氧树脂层被优先腐蚀，实现精准除胶。实现精准除胶。实现精准除胶。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统。

技术介绍

[0002]为了保护芯片，不受外界环境变化因素影响，需要再将芯片包裹在封装介质内；并且，封装介质还可以对芯片起到支撑作用，固定芯片以便更好连接电路以及支撑整个器件不易损坏；同时起到连接作用，将芯片的电极与外界电路接通。
[0003]目前，封装介质常采用塑料、陶瓷、玻璃、金属等作为封装材料，其中由于塑料具有成本低，封装工艺简单，所以常采用塑料作为封装介质。但是封装好的芯片在客户端使用时可能会出现失效的情况，而将半导体封装好的塑料去除，还原塑封前的形貌以便表征是分析失效原因的手段之一。但是现有的半导体塑封料的去除方法中，常规滴酸法需要在每一次滴酸后进行超声清洗，且只能单个样品逐一操作，同时滴酸量少，腐蚀速度慢，导致耗时太长；常规煮酸法则煮酸温度高，腐蚀程度不可控，破坏性强，需静置降温后才能清洗，开封后样品结构不完整且耗时长。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，旨在解决现有半导体塑封料的去除方法耗时长，且开封后结构不完整的问题。
[0006]本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种半导体塑封料的自动化去除方法，包括步骤：
[0008]提供塑料封装的半导体；
[0009]将所述塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，得到预处理半导体；
[0010]将所述预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；
[0011]将所述腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。
[0012]所述的半导体塑封料的自动化去除方法，所述预处理包括步骤：
[0013]通过激光雕刻工艺对塑料封装的半导体的表面进行处理，用于减薄所述塑料封装的半导体表面的塑料。
[0014]所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述腐蚀池中存储有腐蚀药水；所述腐蚀药水由发烟硝酸和质量百分浓度98％的浓硫酸组成。
[0015]所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比为(1～2):(2～1)。
[0016]所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述腐蚀池在100～105℃的恒温
加热台上进行加热。
[0017]所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述第一清洗池中存储有丙酮；所述第二清洗池中存储有水。
[0018]所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，将所述塑料封装的半导体进行固定的步骤，包括：
[0019]提供固定支架，将所述塑料封装的半导体通过焊接的方式固定在所述固定支架上，用于保持塑料封装的半导体的形状。
[0020]一种半导体塑封料的自动化去除系统，包括：
[0021]输送模块，用于输送半导体；
[0022]腐蚀模块，用于对所述半导体进行腐蚀除胶；
[0023]清洗模块，用于对腐蚀后的半导体进行洗涤；
[0024]控制模块，用于控制所述半导体的输送、腐蚀、洗涤。
[0025]所述的半导体塑封料的自动化去除系统，其中，所述输送模块包括夹取单元、升降单元、运输单元；
[0026]所述夹取单元用于所述半导体的夹取；
[0027]所述升降单元用于所述夹取单元的升降；
[0028]所述运输单元用于所述半导体的运输。
[0029]所述的半导体塑封料的自动化去除系统，其中，所述腐蚀模块包括腐蚀单元、加热单元；所述清洗模块包括超声单元、第一清洗单元、第二清洗单元；
[0030]所述腐蚀单元用于半导体塑封料的腐蚀；
[0031]所述加热单元用于所述腐蚀单元的加热；
[0032]所述超声单元用于为所述第一清洗单元和所述第二清洗单元提供超声环境；
[0033]所述第一清洗单元和所述第二清洗单元用于半导体的洗涤。
[0034]有益效果：本专利技术提供一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，包括步骤：将塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，将得到的预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；将腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。本专利技术通过利用预处理(激光雕刻)与腐蚀池进行腐蚀相互结合的方式，提前将样品表面的环氧树脂层减薄，为后续的腐蚀药水处理阶段节省时间；而采用浓硫酸和发烟硝酸的混合物作为腐蚀药水，可以高效地腐蚀去除塑封料；并且本专利技术的半导体塑封料去除方法可以多个样品同时操作，酸量充足，腐蚀速度快，腐蚀程度可控，对半导体内部结构破坏性小，环氧树脂层被优先腐蚀，实现精准除胶。
附图说明
[0035]图1为本专利技术一种半导体塑封料的自动化去除方法的工艺流程图；
[0036]图2为本专利技术实施例10的半导体塑封料去除效果图；
[0037]图3为本专利技术对比例1的半导体塑封料去除效果图；
[0038]图4为本专利技术对比例2的半导体塑封料去除效果图；
[0039]图5为半导体塑封料的自动化去除装置的结构示意图。
具体实施方式
[0040]本专利技术提供一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0041]在实施方式和申请专利范围中，除非文中对于冠词有特别限定，否则“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0042]应该进一步理解的是，本专利技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
[0043]本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本专利技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0044]请参考图1，本专利技术提供一种半导体塑封料的自动化去除方法，包括步骤：
[0045]步骤S10：提供塑料封装的半导体；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，包括步骤：提供塑料封装的半导体；将所述塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，得到预处理半导体；将所述预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；将所述腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。2.根据权利要求1所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，所述预处理包括步骤：通过激光雕刻工艺对塑料封装的半导体的表面进行处理，用于减薄所述塑料封装的半导体表面的塑料。3.根据权利要求1所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，所述腐蚀池中存储有腐蚀药水；所述腐蚀药水由发烟硝酸和质量百分浓度98％的浓硫酸组成。4.根据权利要求3所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比为(1～2):(2～1)。5.根据权利要求1所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，所述腐蚀池在100～105℃的恒温加热台上进行加热。6.根据权利要求1所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，所述第一清洗池中存储有丙酮；所述第二清洗池中存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：雒继军，龙良柱，龚华兵，陆伟华，刘晓荣，唐明辉，
申请(专利权)人：佛山市蓝箭电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：