一种半导体结构及其制备方法技术

一种半导体结构及其制备方法，解决了外延层应力较大，表面不易长平的问题。半导体结构，包括衬底；图形化的AlN/AlGaN种子层，图形化的AlN/AlGaN种子层位于衬底上；以及形成在种子层上的AlGaN外延层。层上的AlGaN外延层。层上的AlGaN外延层。层上的AlGaN外延层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：