一种晶圆背面金属化前的清洗方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆背面金属化前的清洗方法，具体步骤如下：S1、晶圆正面贴膜；S2、对S1得到的晶圆依次进行有机腐蚀液清洗、硅腐蚀液清洗、擦片、HF溶液清洗；S3、将S2得到的晶圆上的正面贴膜去除，得到清洗后的晶圆，本发明专利技术可以通过有机腐蚀液去除晶圆背面的有机沾污，通过硅腐蚀液和擦片工艺去除晶圆背面的减薄损伤层，通过HF溶液去除晶圆背面的自然氧化层，提高晶圆背面金属化成膜附着力。提高晶圆背面金属化成膜附着力。提高晶圆背面金属化成膜附着力。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆背面金属化前的清洗方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制作工艺
，具体属于一种晶圆背面金属化前的清洗方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制作工艺
，晶圆背面金属化是重要的加工工艺，特别是工作电压高、电流大的晶体管器件，对晶圆背面金属化的质量有着很高的要求。
[0003]在背面金属化成膜时，由于晶圆背面存在有机沾污和减薄损伤层，会导致后续成膜附着力降低，严重时会导致金属层脱落，而背面金属化前的常规清洗方法仅采用一定浓度的HF溶液，该清洗方法可以有效去除晶圆表面的自然氧化层，但无法去除有机沾污和减薄损伤层，所以优化晶圆背面金属化前的清洗方法对提高晶圆背面金属化质量尤为重要。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种晶圆背面金属化前的清洗方法，可以通过有机腐蚀液去除晶圆背面的有机沾污，通过硅腐蚀液和擦片工艺去除晶圆背面的减薄损伤层，通过HF溶液去除晶圆背面的自然氧化层，提高晶圆背面金属化成膜附着力。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面金属化前的清洗方法，其特征在于，具体步骤如下：S1、晶圆正面贴膜；S2、对S1得到的晶圆依次进行有机腐蚀液清洗、硅腐蚀液清洗、擦片、HF溶液清洗；S3、将S2得到的晶圆上的正面贴膜去除，得到清洗后的晶圆。2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属化前的清洗方法，其特征在于，S1中，所述正面贴膜为PVC薄膜基材的表面保护膜，保护膜厚度100μm～150μm。3.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属化前的清洗方法，其特征在于，S2中，所述有机腐蚀液为无水乙醇和四甲基氢氧化铵的混合溶液，其中无水乙醇和四甲基氢氧化铵体积比为(10～50)：1。4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属化前的清洗方法，其特征在于，S2中，在20℃～25℃温度条件下对晶圆进行5min～10min的有机腐蚀液清洗。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐易晨，尚春林，何静博，张文鹏，胡长青，晏强，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：