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本发明公开了一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，产品依次经过2个SC1槽清洗、纯水槽溢流清洗、O3槽喷淋、HF槽去除硅表面金属、纯水槽溢流，然后经慢提拉槽从硅片表面剥离部分水珠，最后经烘干槽使硅表面残留的水分蒸发。其中，HF槽中，HF...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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