【技术实现步骤摘要】
一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备
[0001]本技术属于压电材料极化
,具体涉及一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备。
技术介绍
[0002]近年来,压电薄膜在第三代超声波指纹识别、车载雨水传感器以及电子皮肤等领域的应用非常广泛,而其制备过程中的极化工艺是必不可少且直接影响其压电性能的关键步骤之一。
[0003]极化前压电薄膜中的碳氟键沿着分子链随机排布,方向不确定,存在碳氟键极性相反抵消的情况,使压电薄膜宏观上看没有压电性,因此需要通过极化工艺使碳氟键向着一个方向排布。
[0004]常规极化工艺中,采用钨针丝通过尖端放电产生电场,将空气电离产生正负电荷,电荷堆积在压电薄膜上表面,将压电薄膜的下表面接地,以此在薄膜中形成电场。然而,该极化工艺存在一定的劣势,主要有以下方面:
①
放电的面积有限,如果压电薄膜面积很大,会由于边界效应造成压电性质的不均匀。
②
放电需要放在硅油等介质里,并借助高温等环境辅助进行极化,对环境与材料的要求高。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备,其特征在于,包括:支撑结构、金属旋转基板、待极化件、上源极、上栅极、下源极、下栅极;所述支撑结构作为双栅极极化设备的支撑底座;所述金属旋转基板设置于支撑结构的上方,且能够关于其中心点转动;所述待极化件,放置于所述金属旋转基板的上表面,随所述金属旋转基板转动;所述上源极和所述下源极为结构相同的圆形实心金属板;所述上栅极和所述下栅极为设置有均匀网格结构的金属圆盘;所述上栅极位于所述待极化件的正上方,所述下栅极位于所述待极化件的正下方;所述上源极位于所述上栅极的正上方,所述下源极位于所述下栅极的正下方。2.如权利要求1所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备,其特征在于,所述上源极与所述上栅极之间的间距和所述下源极与所述下栅极之间的间距相同,该间距取值范围为1
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2mm。3.如权利要求2所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备,其特征在于,所述待极化件与所述上...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘思怡,史航宇,邢天宇,陈昭如,胡潇然,钟乐黎,王硕,张祖祺,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:新型
国别省市:
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