一种Mo-Ti-Ta合金薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于薄膜晶体管液晶显示器技术领域，本发明专利技术提供了一种Mo

【技术实现步骤摘要】
一种Mo
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Ti
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Ta合金薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器
，尤其涉及一种Mo
‑
Ti
‑
Ta合金薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管是薄膜晶体管液晶显示器中的关键器件，其性能好坏对最终的液晶显示器产品性能具有决定性作用。在薄膜晶体管液晶显示器中有很多电极和布线，以往技术中常用Au/Cu/Cr/Al为主，但他们都有各自的缺点，难以满足更高层次的需求。现有研究表明，Mo具有低电阻，成为优良的导电材料用于薄膜晶体管液晶显示器中，此外，Mo薄膜在玻璃上具有良好的粘附性，与硅、氧化铟锡具有低接触电阻，常被用作薄膜晶体管液晶显示器加工中作为底部和覆盖层。
[0003]由于退火处理用于薄膜晶体管液晶显示器加工过程中，这些薄膜需承受热暴露而不会变质，而Mo薄膜在空气中表现出较差的抗氧化性。研究表明合金化可以提高薄膜的抗氧化性，而钛在氧化环境中表现出较强的耐腐蚀性，但钛不能溶解于刻蚀液中，这是薄膜晶体管液晶显示器中的一个关键问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mo
‑
Ti
‑
Ta合金薄膜的制备方法，其特征在于，在玻璃衬底上磁控溅射双靶或单靶，得到Mo1‑
x
‑
y
Ti
x
Ta
y
合金薄膜；其中，0.1<x<0.5，0.05<y<0.2；所述双靶为Mo
‑
Ti靶和Ta靶；所述单靶为Mo
‑
Ti
‑
Ta靶。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Mo
‑
Ti靶的溅射功率为560～640W，Ta靶的溅射功率为45～55W；所述Mo
‑
Ti
‑
Ta靶的溅射功率密度为30～85W/Inch2。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述双靶为Mo
0.8
Ti
0.2
靶和Ta靶，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖敏，唐洁，曾斌建，魏修宇，吴建国，易小明，李志翔，
申请(专利权)人：中钨稀有金属新材料湖南有限公司，
类型：发明
国别省市：