具有间隔件结构的半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极介电层，在基底上，栅极介电层在其侧表面处包括凹槽；栅电极结构，在栅极介电层上；栅极覆盖层，在栅电极结构上；以及间隔件结构，在基底上并覆盖栅极介电层的侧表面、栅电极结构的侧表面和栅极覆盖层的侧表面，间隔件结构包括第一间隔件、在第一间隔件上并覆盖凹槽的第二间隔件和在第二间隔件上的第三间隔件，第二间隔件和第三间隔件包括氮化硅。第二间隔件和第三间隔件包括氮化硅。第二间隔件和第三间隔件包括氮化硅。

【技术实现步骤摘要】
具有间隔件结构的半导体装置
[0001]本申请要求于2021年12月3日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0171760号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]公开的示例性实施例涉及一种具有间隔件结构的半导体装置。

技术介绍

[0003]随着半导体装置的高度集成化和小型化的需要，这种半导体装置的尺寸正在缩小。因此，用在电子设备中的半导体存储器装置也需要高度集成化，如此，减少了半导体存储器装置的组成元件的设计规则。需要在提高半导体装置的可靠性的同时减小半导体装置的尺寸的技术。

技术实现思路

[0004]根据公开的示例性实施例的半导体装置可以包括：栅极介电层，设置在基底上，该栅极介电层包括在其侧表面处的凹槽；栅电极结构，在栅极介电层上；栅极覆盖层，在栅极结构上；以及间隔件结构，设置在基底上并设置在栅极介电层的侧表面、栅极结构的侧表面和栅极覆盖层的侧表面处，间隔件结构包括第一间隔件、设置在第一间隔件外部的第二间隔件和设置在第二间隔件外部的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；栅极介电层，在基底上，栅极介电层包括在栅极介电层的侧表面处的凹槽；栅电极结构，在栅极介电层上；栅极覆盖层，在栅电极结构上；以及间隔件结构，在基底上并且覆盖栅极介电层的侧表面以及栅电极结构的侧表面和栅极覆盖层的侧表面，间隔件结构包括第一间隔件、在第一间隔件上并且覆盖凹槽的第二间隔件以及在第二间隔件上的第三间隔件，第二间隔件和第三间隔件包括氮化硅。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二间隔件包括朝向栅极介电层突出的突起，突起在第一间隔件下方并且覆盖凹槽。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极介电层包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层，凹槽位于第一介电层的侧表面处。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一介电层的水平长度大于第二介电层的水平长度。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一间隔件覆盖第二介电层的侧表面以及栅电极结构的侧表面和栅极覆盖层的侧表面，第一间隔件在剖视图中具有在竖直方向上延伸的线形形状。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一间隔件的下表面与第一介电层的上表面处于相同的水平处。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二间隔件和第三间隔件在剖视图中具有L形形状。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一间隔件的下表面处于比栅极介电层的下表面高的水平处。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，间隔件结构还包括覆盖第三间隔件的第四间隔件，第四间隔件包括氧化硅。10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在基底和栅极介电层之间的半导体层，半导体层包括SiGe。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，半导体层的上表面部分地与第二间隔件的下表面接触。12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，半导体层的未被栅极介电层覆盖的部分的厚度小于半导体层的被栅极介电层覆盖的部分的厚度。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，第二间隔件的下表面处于比栅极介电层的下表面低的水平处。14.根据权利要求12所述的半导体装置，所述半导体装置还包括覆盖栅极覆盖层、间隔件结构和基底的一部分的蚀刻停止层，蚀刻停止层的下表面处于比栅极介电层的下表面低的水平处。15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二间隔件的侧表面与第一间隔件的侧表面共面，空隙限定在第二间隔件与凹槽之间。16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：李全一，吉奎炫，白头山，尹燦植，韩正勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：