动态存储器及SOC芯片制造技术

本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和设置在衬底上的多个存储单元，存储单元下层MOS管组件和上层MOS管组件，通过在下层MOS管组件中设置第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极电容可作为存储单元的存储电容，和只设置一个MOS管相比提高了存储容量。由于动态存储器的衬底材料是硅，因此动态存储器可以作为嵌入式存储器与SOC芯片、处理器芯片等制作在同一个硅晶圆上，通过使第一MOS管和第二MOS管共用源极，因此减少了第一MOS管和第二MOS管在衬底上所占的面积，结构布局更加紧凑，在将动态存储器制作在硅晶圆上时提高了硅晶圆的面积利用率，有利于器件的集成。利于器件的集成。利于器件的集成。

【技术实现步骤摘要】
动态存储器及SOC芯片


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，本申请涉及一种动态存储器及SOC芯片。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，DRAM存储器越来越广泛地被应用于服务器、智能手机、个人电脑等电子装置之中。
[0003]DRAM存储器通常包括多个存储单元，为了提高DRAM存储器的容量，需要增加存储单元的数量。然而，增加存储单元的数量又占用较大的面积，使得结构不够紧凑，不利于器件的集成。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种动态存储器及SOC芯片，用以解决现有技术中DRAM存储器存在的占用面积较大和结构不够紧凑的问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种动态存储器，包括衬底和设置在所述衬底上的多个存储单元，所述存储单元包括：
[0006]下层MOS管组件，设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态存储器，包括衬底和设置在所述衬底上的多个存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：下层MOS管组件，设置在所述衬底上，包括第一MOS管和第二MOS管，所述衬底的材料包括硅；上层MOS管组件，设置在所述下层MOS管组件上，包括第三MOS管和第四MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极电连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四MOS管的漏极电连接；两条读字线，设置在所述衬底上，分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极电连接；读位线，设置在所述衬底上，与所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极电连接；两条写字线，分别与所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极电连接；写位线，与所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的源极电连接；其中，所述第一MOS管和所述第二MOS管共用源极，所述第三MOS管和所述第四MOS管共用源极。2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第三MOS管和所述第四MOS管为金属氧化物半导体管，所述金属氧化物的材料包括ITO、IWO或IGZO。3.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极通过接触点与所述读位线电连接。4.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一漏极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：