【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体的器件设计，尤指一种存储器及其访问方法、电子设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。为了尽可能降低产品的成本，在达到所需功能的基础上，人们希望尽量减少所使用的器件数量。常规的1t1c存储器中，每个存储单元包括一个访问晶体管和一个电容器。访问晶体管连接一条字线和一条位线，字线连接字线驱动器，位线连接感测放大器，通过字线选通访问晶体管，通过位线进行数据的读取和写入。如果每个字线均连接独立的字线驱动器，在存储器包括的存储单元数量较多时，字线驱动器数量巨大，工艺复杂，成本大，且造成器件尺寸过大。因此，出于器件尺寸、成本、工艺难度等的考虑，有必要减少字线驱动器数量。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请实施例提供一种存储器及其访问方法、电子设备，简化工艺，降低成本。p>
3、本公开本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，每层所述存储阵列还包括多条沿所述第三方向延伸的第一子字线，不同层同行同列的存储单元的第一栅电极连接到一条所述第一子字线，同层的不同存储单元的第一栅电极连接到不同的所述第一子字线，同列的多条所述第一子字线连接形成一条所述第一字线。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，每层所述存储阵列还包括多条沿所述第三方向延伸的第二子字线，不同层同行同列的存储单元的第二栅电极连接到一条所述第二子字线，同层的不同存储单元的第二栅电极连接到不同的所述第二子字线，同行的多条所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，每层所述存储阵列还包括多条沿所述第三方向延伸的第一子字线，不同层同行同列的存储单元的第一栅电极连接到一条所述第一子字线，同层的不同存储单元的第一栅电极连接到不同的所述第一子字线，同列的多条所述第一子字线连接形成一条所述第一字线。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，每层所述存储阵列还包括多条沿所述第三方向延伸的第二子字线，不同层同行同列的存储单元的第二栅电极连接到一条所述第二子字线，同层的不同存储单元的第二栅电极连接到不同的所述第二子字线，同行的多条所述第二子字线连接形成一条所述第二字线。
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，每层所述存储阵列还包括：多条沿所述第二方向延伸的位线；所述存储器还包括：多条公共位线；一条位线连接所述位线所在层的同一列的存储单元，同层的位线连接到同一条公共位线，不同层的位线连接到不同的公共位线。
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，每条所述位线通过一个选通子电路连接到所述公共位线，所述选通子电路还连接选通控制线，与不同层的同一列的多条位线分别相连的多个选通子电路连接同一条选通控制线，所述选通子电路被配置为：根据所述选通控制线的控制连通或断开所述位线和所述公共位线。
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述选通子电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第二栅电极、第一电极和第二电极，所述第一晶体管的第一栅电极和第二栅电极连接所述选通控制线，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱正勇，康卜文，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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