一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件制造技术

本发明专利技术属于电致发光器件领域，具体涉及一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件。本发明专利技术通过配体交换技术对氧化物纳米颗粒进行长链配体包覆，使其表面由亲水属性转变为亲油属性，使该氧化物纳米颗粒可通过溶液涂布法在有机物或氧化物基底成膜，并可通过纳米压印、转印工艺实现高质量图案化。本发明专利技术可以解决传统阻挡层由于拾取率低、阻挡层自发光和难以与发光量子点溶液浸润等原因难以克服的漏电流和像元间串扰问题。本发明专利技术通过对纳米压印过程中的剥离速率及压力精确控制，可以有效提高阻挡层图案的完整度及调控膜厚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电致发光器件领域，具体涉及一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件。

技术介绍

1、量子点电致发光(如量子点发光二极管，qled)兼顾了胶体量子点的卓越的发光性能、自发光技术的优势和溶液制备兼容性，是新型显示领域重要的候选技术之一。然而，直面产业化需求的量子点图案化技术在提升图案化质量、保全像元发光效率、降低像元尺寸等方面遭遇技术瓶颈。纳米压印是实现微纳级别发光量子点薄膜图案化的有效手段之一。

2、漏电流和串扰问题主要产生于发光层平面内非像元区域中电子和空穴传输层的直接接触。降低漏电流便需要在发光层的非像元区域构建阻挡层，使阻挡层材料与胶体量子点材料在发光层平面内形成互补图案。

3、纳米压印是构建量子点薄膜微纳图案的可靠技术。选择合适的阻挡层材料对于通过纳米压印技术实现高像元密度的qled阵列具有关键作用。

4、目前，已被用于薄膜转印制备图案化阻隔层的材料包括：

5、1、高分子材料

6、一些高分子材料对光或热敏感的特性使其具有一定的图案化性能，如ppc(聚碳酸亚丙酯)或pmma本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，包括依次设置的器件阳极、空穴注入层、空穴传输层、复合层、电子传输层和器件阴极；

2.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述器件阳极的厚度为20-200nm，材料选自氧化铟锡、掺氟的二氧化锡、铝和银中的一种或多种。

3.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10-150nm，材料选自聚乙烯类聚合物和聚噻吩类聚合物中的一种或两种。

4.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，包括依次设置的器件阳极、空穴注入层、空穴传输层、复合层、电子传输层和器件阴极；

2.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述器件阳极的厚度为20-200nm，材料选自氧化铟锡、掺氟的二氧化锡、铝和银中的一种或多种。

3.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10-150nm，材料选自聚乙烯类聚合物和聚噻吩类聚合物中的一种或两种。

4.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10-150nm，材料选自三苯胺基化合物及其衍生聚合物、芴基化合物及其衍生聚合物、咔唑基化合物及其衍生聚合物和螺环基化合物中的一种或多种。

5.如权利要求1所述带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-150nm，材料选自金属氧化物、咪唑类化合物、吡啶类化合物、嘧啶类化合物、蒽类化合物、有机金属螯合物和含邻菲罗啉基团的化合物中的一种或多种...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈崧，孙旭昊，周洛禾，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：