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本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和设置在衬底上的多个存储单元，存储单元下层MOS管组件和上层MOS管组件，通过在下层MOS管组件中设置第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极电容可作为存储单元的...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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