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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极介电层，在基底上，栅极介电层在其侧表面处包括凹槽；栅电极结构，在栅极介电层上；栅极覆盖层，在栅电极结构上；以及间隔件结构，在基底上并覆盖栅极介电层的侧表面、栅电极结构的侧表面和栅极覆盖层的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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