发光二极管及其制作方法、发光二极管的底座的制作方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管及其制作方法、发光二极管的底座的制作方法，特别涉及一种发光二极管，包含二间隔支脚、一基纳二极管、包覆胶体及一塑料基座。该基纳二极管设于其中的一支脚且电连接该支脚，并以该导线电连接另一支脚。该包覆胶体覆盖且完全遮蔽该基纳二极管及该导线，且该塑料基座容置且完全遮蔽该包覆胶体，使得晶粒可设置于该塑料基座凹槽的正中央，避免基纳二极管吸收晶粒所发射的光线。该包覆胶体可在该塑料基座成型前保护该基纳二极管，且由于其表面呈圆弧光滑，该塑料基座成型时可紧密附着该包覆胶体而不易生成空穴。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有保护电路的发光二极管，特别涉及一 种具有基纳二极管的发光二极管、发光二极管的底座及其制作方法。
技术介绍
参阅图l,是以往一发光二极管l,具有一晶粒ll、 一底座12、 二接脚13及一封胶体14。底座12由塑月交等绝》彖材质制成， 并形成有一凹槽121, 二接脚13穿设于底座12并延伸至凹槽121 内，晶粒11设置于其中的一接脚13顶面，并电连4妻二接脚13, 为了防止静电》文电(Electrostatic Discharge, ESD)损毁晶粒11, 另 一接脚13顶面设置有一基纳二极管15,基纳二极管15电连接 二接脚13,且与晶粒ll呈反向并联，当"l争电放电状况发生时， 基纳二极管15工作于击穿区而提供低阻抗路径，使得流向晶粒 11的瞬间电流可以分流至基纳二极管15 ,而达到"l争电放电保护 的效果。封胶体14则透过灌注环氧树脂于凹槽121而形成，以保 护晶粒1 l且晶粒11所发出的光线得以穿透封胶体14。然而，目前发光二极管l的尺寸越来越小，4吏得凹槽121的 尺寸也随之减小，前述结构导致晶粒ll无法设置于凹槽121的正 中央，使得发光二极管l实际本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包含：一底座、一晶粒及一透明胶体；其特征在于，该底座包括：一金属支架、一基纳二极管、一导线、一包覆胶体及一塑料基座；该金属支架具有相互间隔的二支脚；该基纳二极管设于其中的一支脚，并电连接该支脚；该导线电连接该基纳二极管及另一支脚；该包覆胶体覆盖于该基纳二极管及该导线，以完全遮蔽该基纳二极管及该导线；该塑料基座容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包覆胶体，并使该二支脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一凹槽；该晶粒用以发出光线，容置于该凹槽，并电连接该二支脚，该透明胶体设于该凹槽，以将该晶粒封装于该塑料基座上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭利，陈炎成，
申请(专利权)人：佰鸿工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]