发光二极管及其制作方法、发光二极管的底座的制作方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管及其制作方法、发光二极管的底座的制作方法，特别涉及一种发光二极管，包含二间隔支脚、一基纳二极管、包覆胶体及一塑料基座。该基纳二极管设于其中的一支脚且电连接该支脚，并以该导线电连接另一支脚。该包覆胶体覆盖且完全遮蔽该基纳二极管及该导线，且该塑料基座容置且完全遮蔽该包覆胶体，使得晶粒可设置于该塑料基座凹槽的正中央，避免基纳二极管吸收晶粒所发射的光线。该包覆胶体可在该塑料基座成型前保护该基纳二极管，且由于其表面呈圆弧光滑，该塑料基座成型时可紧密附着该包覆胶体而不易生成空穴。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有保护电路的发光二极管，特别涉及一 种具有基纳二极管的发光二极管、发光二极管的底座及其制作方法。
技术介绍
参阅图l,是以往一发光二极管l,具有一晶粒ll、 一底座12、 二接脚13及一封胶体14。底座12由塑月交等绝》彖材质制成， 并形成有一凹槽121, 二接脚13穿设于底座12并延伸至凹槽121 内，晶粒11设置于其中的一接脚13顶面，并电连4妻二接脚13, 为了防止静电》文电(Electrostatic Discharge, ESD)损毁晶粒11, 另 一接脚13顶面设置有一基纳二极管15,基纳二极管15电连接 二接脚13,且与晶粒ll呈反向并联，当"l争电放电状况发生时， 基纳二极管15工作于击穿区而提供低阻抗路径，使得流向晶粒 11的瞬间电流可以分流至基纳二极管15 ,而达到"l争电放电保护 的效果。封胶体14则透过灌注环氧树脂于凹槽121而形成，以保 护晶粒1 l且晶粒11所发出的光线得以穿透封胶体14。然而，目前发光二极管l的尺寸越来越小，4吏得凹槽121的 尺寸也随之减小，前述结构导致晶粒ll无法设置于凹槽121的正 中央，使得发光二极管l实际出光效率大打折扣。再者，由于基 纳二极管15通常呈深色，设置于晶粒ll旁边会吸收部分晶粒ll 所发射的光线，基纳二极管15吸光吸热使得晶粒11功率损失约 5 10%外，还降低原先设计的光学效果。有鉴于此，参阅图2及图3，另一以往发光二极管2，具有一 底座21及二晶粒22,该二晶粒22相互并耳关并分别-没置于底座21的一凹槽211中， 一基纳二极管23反向并耳关该二晶粒22,并隐藏 设置于底座21中。在制作发光二极管2时，先将已封装的基纳二 极管23以表面黏着技术(SMT)设于金属支架24上，再将塑津牛射 出形成底座21，而后设置该二晶粒22,并将环氧树脂填满该二 凹槽211，以封装该二晶粒22。然而，表面黏着技术的基纳二极 管无法小型化(目前最小尺寸为(H02(1.0 x 0.5mm)),且需采用特 定矩形的基纳二极管，当塑料射出形成底座21时，塑料流经基 纳二极管23角落(尖角)处无法紧密包覆基纳二极管23且容易产 生空穴(包覆空气)，导致成型的底座21出现缺陷，而损及发光 二极管2的信赖度。
技术实现思路
本专利技术的目的是在提供一种具有基纳二极管并提供良好光 学效果的发光二极管及其制作方法。本专利技术的另一目的是在提供一种具有基纳二极管，且安装 于其上的晶粒可提供良好光学效果的发光二极管的底座及其制 作方法。本专利技术所述的发光二极管，包含 一底座、 一晶粒及一透 明胶体；该底座包括 一金属支架、 一基纳二极管、 一导线、 一包覆胶体及一塑料基座；该金属支架具有相互间隔的二支脚； 该基纳二极管设于其中的一支脚，并电连接该支脚；该导线电 连接该基纳二极管及另 一支脚；该包覆胶体覆盖于该基纳二极 管及该导线，以完全遮蔽该基纳二极管及该导线；该塑料基座 容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包^1胶体，并使该二支 脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一凹槽；该晶 粒用以发出光线，容置于该凹槽，并电连接该二支脚，该透明 胶体设于该凹槽，以将该晶粒封装于该塑料基座上。6，该塑料基座具有界定出该凹槽 的一底壁面及一环壁面，各该支脚的一端外露于该底壁面，且 另 一端延伸至突出该塑料基座。本专利技术所述的发光二极管，该晶粒设于另一支脚，且位于 该底壁面正中央。本专利技术所述的发光二极管，该基纳二极管位于该支脚靠近 该环壁面的一侧。本专利技术所述的发光二极管，该基纳二极管位于该支脚相反 于该环壁面的 一 侧。本专利技术所述的发光二极管的底座，供该发光二极管的一晶粒封装其上；该底座包含 一金属支架、 一基纳二极管、 一导 线、 一包覆胶体及一塑料基座；该金属支架具有相互间隔的二 支脚；该基纳二极管设于其中的一支脚，并电连接该支脚；该 导线电连接该基纳二极管及另 一支脚；该包覆胶体覆盖于该基 纳二极管及该导线，以完全遮蔽该基纳二极管及该导线；该塑料基座容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包^隻胶体，并使 该二支脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一供容 置该晶粒的凹槽。本专利技术所述的发光二极管的制作方法，该制作方法包含下 列步骤步骤一设置一基纳二极管于一金属支架的一支脚， 并以一导线连接该基纳二极管及该金属支架的另 一支脚；步骤 二形成一包覆胶体于该金属支架，以完全遮蔽该基纳二极管 及该导线；步骤三形成一塑料基座连接该二支脚；及步骤四 设置一晶粒于该塑料基座，将该晶粒电连接该二支脚，并形成 一透明胶体于该塑料基座，以将该晶粒封装于该塑料基座。本专利技术所述的发光二极管的制作方法，在该步骤二中，形 成的该包覆胶体表面呈圆弧面，在该步骤三中，该塑料基座容置该二支脚及该包覆胶体，完全遮蔽该包^隻胶体，且该二支脚 部分外露于该塑料基座。本专利技术所述的发光二极管的制作方法，在该步骤三中，该 塑料基座形成有 一 凹槽，该凹槽位于该支架设置有该基纳二极 管的一侧，在该步骤四中，该晶粒容置于该凹槽，且该透明胶 体填充于该凹才曹。本专利技术所述的发光二极管的制作方法，在该步骤三中，该 塑料基座形成有一凹槽，该凹槽位于该支架设置该基纳二极管 的相反侧，在该步骤四中，该晶粒容置于该凹槽，且该透明胶 体填充于该凹槽。本专利技术所述的发光二极管的底座的制作方法，该制作方法包含下列步骤步骤一设置一基纳二极管于一金属支架的一 支脚，并以一导线连接该基纳二极管及该金属支架的另 一支脚； 步骤二形成一包覆胶体于该金属支架，以完全遮蔽该基纳二 极管及该导线；及步骤三形成一塑料基座连接该二支脚。本专利技术所述的发光二极管的底座的制作方法，在该步骤二 中，形成的该包覆胶体表面呈圆弧面，在该步骤三中，该塑料 基座容置该二支脚及该包覆胶体，完全遮蔽该包覆胶体，且该 二支脚部分外露于该塑料基座。本专利技术所述的发光二极管的底座的制作方法，在该步骤三 中，该塑料基座形成有一供容置一晶粒的凹槽，该凹槽位于该 支架设置有该基纳二极管的一侧。本专利技术所述的发光二极管的底座的制作方法，在该步骤三 中，该塑料基座形成有一供容置一晶粒的凹槽，该凹槽位于该 支架设置该基纳二极管的相反侧。本专利技术的有益效果在于通过将包覆胶体覆盖且完全遮蔽 基纳二极管及导线，并以塑料基座容置并遮蔽包覆胶体，晶粒可设置于塑料基座的凹槽内，避免基纳二极管吸收晶粒所发射 的光线，而达到应有的光学效果，包覆胶体可在塑料基座成型 前保护基纳二极管，且塑料基座成型时可以紧密附着于包覆胶 体，不易生成空穴。附图说明图l是一示意图，说明以往一发光二极管的架构； 图2是一俯视示意图，说明另一以往发光二极管的架构； 图3是一剖视图，说明图2该发光二极管； 图4是 一 侧视示意图，说明本专利技术发光二极管及其制作方法的第一较佳实施例；图5是一俯视示意图，说明该第一较佳实施例；图6是该第 一较佳实施例的 一 流程图，说明制作该发光二极管的步骤；图7至图14分别是一示意图，说明该第一较佳实施例的制作 过程，在图7至图14的各图中，位于上方的是俯视示意图，而位 于下方的则是侧视示意图；图15是一侧视示意图，说明本专利技术发光二极管及其制作方 法的第二较佳实施例。具体实施方式下面结合附图及实施例对本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包含：一底座、一晶粒及一透明胶体；其特征在于，该底座包括：一金属支架、一基纳二极管、一导线、一包覆胶体及一塑料基座；该金属支架具有相互间隔的二支脚；该基纳二极管设于其中的一支脚，并电连接该支脚；该导线电连接该基纳二极管及另一支脚；该包覆胶体覆盖于该基纳二极管及该导线，以完全遮蔽该基纳二极管及该导线；该塑料基座容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包覆胶体，并使该二支脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一凹槽；该晶粒用以发出光线，容置于该凹槽，并电连接该二支脚，该透明胶体设于该凹槽，以将该晶粒封装于该塑料基座上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭利，陈炎成，
申请(专利权)人：佰鸿工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]