一种晶圆承载座的升降系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆承载座的升降系统，包括支撑腔室、滑块、驱动杆以及滑动支撑件；其中，所述支撑腔室位于晶圆反应腔室的下方且与晶圆反应腔室连接；所述滑块位于支撑腔室的内部、沿支撑腔室升高或降低，并且与晶圆反应腔室中的晶圆承载座连接，用于带动所述晶圆承载座在晶圆反应腔室内升高或降低；所述驱动杆与滑块连接，用于驱动所述滑块升高或降低；所述滑动支撑件位于滑块与支撑腔室之间，用于支撑滑块在支撑腔室内滑动，通过滑动支撑件平衡所述滑块受到的随机力。本发明专利技术提供的晶圆承载座的升降系统解决了波纹管产生的随机力造成升降装置结构不稳定、丝杠形变等问题。丝杠形变等问题。丝杠形变等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆承载座的升降系统


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种晶圆承载座的升降系统。

技术介绍

[0002]在半导体工艺设备中，晶圆反应腔室内承载晶圆的承载座通过做往复升降运动来实现对晶圆的取放；支撑晶圆承载座的支撑柱伸出晶圆反应腔室、与晶圆反应腔室外部的滑块连接，通过滑块上下移动带动支撑柱及晶圆承载座在晶圆反应腔室内做升降运动。其中，所述滑块与竖直设置的丝杠螺纹连接，通过丝杠转动驱使所述滑块上下移动；所述晶圆反应腔室与支撑柱连接处还设有可伸缩的波纹管，伸出晶圆反应腔室的支撑柱位于波纹管内，晶圆反应腔室通过波纹管与外界密封隔离。
[0003]支撑柱在上下移动中会导致波纹管的伸展或压缩；由于晶圆反应腔室为真空腔室，与晶圆反应腔室连通的波纹管在大气压作用下，在波纹管上会产生随机方向的力(以下简称随机力)，该随机力会传导并最终作用在滑块上，会引起滑块所在升降装置结构的不稳定；且滑块将随机力传递到丝杠上，由于随机力在水平方向具有水平方向的分力，该分力作用在丝杠上容易造成丝杠形变，增加驱动丝杠转动的电机的驱动扭矩，进而会发生电机过载风险，甚至造成安全事故。

技术实现思路

[0004]为了解决波纹管产生的随机方向的力造成升降装置结构不稳定、丝杠形变等，本专利技术提供了一种晶圆承载座的升降系统。
[0005]本专利技术提供的晶圆承载座的升降系统包括：
[0006]滑块，所述滑块与所述晶圆承载座连接，用于带动所述晶圆承载座在反应腔室内升高或降低；
[0007]支撑腔室，设置于晶圆反应腔室的下方且与晶圆反应腔室连接，所述滑块置于所述支撑腔室内，并沿着支撑腔室升高或降低；驱动杆，所述驱动杆与滑块连接，用于驱动所述滑块升高或降低；
[0008]滑动支撑件，所述滑动支撑件设置于滑块和支撑腔室之间，用于支撑滑块在支撑腔室内滑动，防止滑块受力损坏驱动杆。
[0009]可选地，所述支撑腔室包括第一内壁和与第一内壁相对的第二内壁，以及第三内壁和与第三内壁相对的第四内壁；
[0010]设定第一方向垂直于第一内壁和第二内壁，第二方向垂直于第三内壁和第四内壁，第一方向与第二方向相互垂直。
[0011]可选地，所述滑动支撑件包括滚珠，所述滚珠设置于滑块上，所述支撑腔室的内壁对应位置设置滚珠槽。
[0012]可选地，所述滑块具有第一外壁、第二外壁、第三外壁和第四外壁，分别与所述支撑腔室的第一内壁、第二内壁、第三内壁和第四内壁相对；
[0013]第二外壁、第三外壁和第四外壁分别设置滚珠，所述第二内壁、第三内壁和第四内壁上对应的分别设有滚珠槽。
[0014]可选地，所述滑块的第一外壁上设置滑块轨道，所述第一内壁上设置与之对应的滑槽。
[0015]可选地，通过第二外壁与第二内壁之间设置的滚珠来平衡所述滑块在第一方向的受力；
[0016]通过第三外壁与第三内壁之间设置的滚珠，以及第四外壁与四内壁之间设置的滚珠来平衡所述滑块在第二方向的受力。
[0017]可选地，所述第二内壁上开设有第一通孔，所述滑块通过该第一通孔与所述晶圆反应腔室内的晶圆承载座连接；
[0018]所述第一通孔沿垂直方向开设。
[0019]可选地，所述第二内壁上开设有两条滚珠槽；
[0020]所述第二外壁上设有两个滚珠，分别与第二内壁上的两条滚珠槽对应设置。
[0021]可选地，所述两条滚珠槽相对于第一通孔两侧对称设置。
[0022]可选地，所述驱动杆为丝杆。
[0023]可选地，所述滑块上开设有沿垂直方向延伸的第二通孔；
[0024]所述第二通孔的内壁具有螺纹结构，用于与所述丝杠的螺纹配合。
[0025]可选地，所述丝杠的一端设置于所述支撑腔室的顶板，另一端设置于所述支撑腔室的底板；
[0026]所述丝杠相对于所述支撑腔室转动。
[0027]可选地，所述晶圆承载座的升降系统还包含电机，用于驱动所述丝杠转动。
[0028]可选地，所述支撑腔室的顶板固定设置于所述晶圆反应腔室的腔底上。
[0029]可选地，所述晶圆反应腔室内设有支撑柱，用于支撑所述晶圆承载座；
[0030]所述晶圆承载座的升降系统还包含连接件，所述连接件用于连接所述滑块与所述支撑柱。
[0031]可选地，所述晶圆反应腔室的下方设有波纹管，所述波纹管垂直设置并包围所述支撑柱。
[0032]可选地，所述连接件具有第一部和与第一部垂直连接的第二部；其中，
[0033]第一部水平穿过所述支撑腔室的内壁、并所述滑块连接固定；
[0034]第二部垂直设置、且一端与支撑柱连接。
[0035]与现有技术相比，本专利技术提供的晶圆承载座的升降系统通过在滑块外围设置支撑腔室、并在滑块外和支撑腔室之间设置滑动支撑件来产生相应的力，以抵消波纹管作用于滑块上的随机力，从而避免波纹管产生的随机方向的力造成升降装置结构不稳定、丝杠形变等问题，且在受随机力影响最大的第二外壁设置复数个滚珠，可以更好的抵消和平衡随机力。
附图说明
[0036]图1为本专利技术提供的晶圆承载座的升降系统与晶圆反应腔室的主视图；
[0037]图2为本专利技术提供的晶圆承载座的升降系统的俯视图；
[0038]图3为本专利技术所述滑块的第一外壁的示意图；
[0039]图4为本专利技术所述滑块的第二外壁的示意图；
[0040]图5为本专利技术所述滑块的第三外壁的示意图；
[0041]图6为本专利技术所述滑块的第四外壁的示意图；
[0042]图7为本专利技术所述支撑腔室的第一内壁的示意图；
[0043]图8为本专利技术所述支撑腔室的第二内壁的示意图；
[0044]图9为本专利技术所述支撑腔室的第三内壁的示意图；
[0045]图10为本专利技术所述支撑腔室的第四内壁的示意图。
具体实施方式
[0046]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0047]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
或“包含
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。
[0048]需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术一实施例的目的。
[0049本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载座的升降系统，用于对晶圆反应腔室内的晶圆承载座进行升降，其特征在于，所述晶圆承载座的升降系统包括：滑块，所述滑块与所述晶圆承载座连接，用于带动所述晶圆承载座在反应腔室内升高或降低；支撑腔室，设置于晶圆反应腔室的下方且与晶圆反应腔室连接；所述滑块置于所述支撑腔室内，并沿着支撑腔室升高或降低；驱动杆，所述驱动杆与滑块连接，用于驱动所述滑块升高或降低；滑动支撑件，所述滑动支撑件设置于滑块和支撑腔室之间，用于支撑滑块在支撑腔室内滑动，防止滑块受力损坏驱动杆。2.如权利要求1所述晶圆承载座的升降系统，其特征在于，所述支撑腔室包括第一内壁和与第一内壁相对的第二内壁，以及第三内壁和与第三内壁相对的第四内壁；设定第一方向垂直于第一内壁和第二内壁，第二方向垂直于第三内壁和第四内壁，第一方向与第二方向相互垂直。3.如权利要求2所述晶圆承载座的升降系统，其特征在于，所述滑动支撑件包括滚珠，所述滚珠设置于滑块上，所述支撑腔室的内壁对应位置设置滚珠槽。4.如权利要求3所述晶圆承载座的升降系统，其特征在于，所述滑块具有第一外壁、第二外壁、第三外壁和第四外壁，分别与所述支撑腔室的第一内壁、第二内壁、第三内壁和第四内壁相对；第二外壁、第三外壁和第四外壁分别设置滚珠，所述第二内壁、第三内壁和第四内壁上对应的分别设有滚珠槽。5.如权利要求4述晶圆承载座的升降系统，其特征在于，所述滑块的第一外壁上设置滑块轨道，所述第一内壁上设置与之对应的滑槽。6.如权利要求4述晶圆承载座的升降系统，其特征在于，通过第二外壁与第二内壁之间设置的滚珠来平衡所述滑块在第一方向的受力；通过第三外壁与第三内壁之间设置的滚珠，以及第四外壁与四内壁之间设置的滚珠来平衡所述滑块在第二方向的受力。7.如权利要求4晶圆承载座的升降系统，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳伟，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：