【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管制作方法，特别是一种垂直结构氮化镓基发光 二极管的制作方法。
技术介绍
近年来，为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管的发光功率和效率，发展了 基于衬底转移的垂直结构芯片技术，例如在蓝宝石衬底上外延沉积GaN基发光 材料，然后把发光材料层通过晶圆键合技术或电镀技术黏结到半导体或金属基 板上，再把蓝宝石衬底用激光剥离方法去除；或者在SiC或者Si衬底上外延沉 积GaN基发光材料，然后把发光材料层通过晶圆键合技术或电镀技术黏结到半 导体或金属基板上，再把SiC或者Si衬底用化学腐蚀方法去除。这样一方面可 以通过在GaN基发光材料和基板之间加一个反射层，另一方面由于GaN基材料 的氮极性面容易通过光化学腐蚀方法获取粗糙的出光面，以上两方面使垂直结 构GaN基发光二极管具有更高的出光效率，同时衬底转移后的基板具有优良的 导热特性，因此转移到散热基板上的垂直结构GaN基发光二极管在大电流应用 上具有较大的优势。传统的GaN基材料以蓝宝石作为生长衬底，在外延过程中其生长面通常会 表现出极性，包括氮极性和镓极性，目前已研究出多种控制和改变GaN基材料...
【技术保护点】
一种垂直结构氮化镓基发光二极管的制作方法，包括步骤： １）提供一临时衬底，在其上依次外延生长一极性接触外延层和一发光层以形成外延片，所述极性接触外延层为ｎ型ＧａＮ基材料并且其生长面表现为氮极性，所述发光层依次包括ｎ型ＧａＮ基外延层、有源层和ｐ型ＧａＮ基外延层； ２）提供一永久衬底，将其与上述外延片通过一金属叠层进行粘结； ３）去除临时衬底，并暴露出极性接触外延层的镓极性面； ４）在上述极性接触外延层的镓极性面上制作一ｎ型欧姆接触电极； ５）蚀刻去掉除ｎ型欧姆接触电极覆盖区域之外的极性接触外延层，暴露出ｎ型ＧａＮ基外延层； ６）采用湿法蚀刻...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘群峰，林雪娇，吴志强，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]
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