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本发明公开的一种垂直结构氮化镓基发光二极管的制作方法，在垂直结构氮化镓基发光二极管的制作过程中，采用ｎ型ＧａＮ基材料作为极性接触外延层，极性接触外延层呈现氮极性，去除临时生长衬底，其表面又呈现为镓极性；基于上述基础，在极性接触外延层上制作ｎ...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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